传感器与检测技术5.2 霍尔传感器(xz).pptVIP

产生梯度磁场的示意图 位移量较小，适于测量微位移和机械振动 霍尔式压力传感器 弹簧管 磁铁 霍尔片 加速度传感器 案例：汽车速度测量 案例：霍尔电流传感器 当电流流过导线时，将在导线周围产生磁场，磁场大小与流过导线的电流大小成正比，这一磁场可以通过软磁材料来聚集，然后用霍尔器件进行检测。 2. 磁场的测量 在控制电流恒定条件下，霍尔电势大小与磁感应强度成正比，由于霍尔元件的结构特点，它特别适用于微小气隙中的磁感应强度、高梯度磁场参数的测量。 霍尔电势是磁场方向与霍尔基片法线方向之间夹角的函数。 应用：霍尔式磁罗盘、霍尔式方位传感器、霍尔式转速传感器 End the 5.2 * * * * * * * * * * * 5.2 霍尔传感器 5.2.1 霍尔传感器工作原理 5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路 5.2.3 霍尔元件的主要特性参数 5.2.4 霍尔元件误差及补偿 5.2.5 霍尔式传感器的应用 5.2.1 霍尔传感器工作原理 在金属或半导体薄片的两端通过控制电流，并在薄片的垂直方向上施加磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势（霍尔电势），这种现象称为霍尔效应。 补充：霍尔效应(Hall effect) 垂直于 的方向出现电势差 —— 霍尔效应 工v06-霍尔效应 在通有电流的导体板上，垂直于板面施加磁场，则在导体板上会出现横向电势差，此现象称为霍尔效应。该电势差称霍尔电势差 。 霍尔在1879年发现的 I 霍尔电压 霍尔系数 + + + + + + - - - - - 注意：霍尔系数的正负决定于载流子的正负： 金属导体：自由电子的n很大，其霍尔系数很小，相应的霍尔电压很小； 半导体：载流子n低得多，半导体的霍尔系数比金属导体大得多，所以半导体能产生很强的霍尔效应。 I + + + + - - - P 型半导体 + - 霍尔效应的应用 2）测量磁场 霍尔电压 1）判断半导体的类型 + + + - - - N 型半导体 - I + - 3）磁流体发电 工v06-霍尔效应a 磁流体发电 霍尔常数 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度： 金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小， 所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d成反比： 为了提高霍尔电势值， 霍尔元件制成薄片形状。 霍尔元件灵敏度（灵敏系数） 半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁移率高， 因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件， 5.2 霍尔传感器 5.2.1 霍尔传感器工作原理 5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路 5.2.3 霍尔元件的主要特性参数 5.2.4 霍尔元件误差及补偿 5.2.5 霍尔式传感器的应用 5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路 霍尔元件 5.2 霍尔传感器 5.2.1 霍尔传感器工作原理 5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路 5.2.3 霍尔元件的主要特性参数 5.2.4 霍尔元件误差及补偿 5.2.5 霍尔式传感器的应用 5.2.3 霍尔元件的主要特性参数： (1) 输入电阻和输出电阻 输入电阻：控制电极间的电阻 输出电阻：霍尔电极之间的电阻 (2) 额定控制电流和最大允许控制电流 额定控制电流：当霍尔元件有控制电流使其本身在 空气中产生10℃温升时，对应的控制电流值 最大允许控制电流：以元件允许的最大温升为限制 所对应的控制电流值 (3) 不等位电势Uo和不等位电阻ro 不等位电势：当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。 r 0称不等位电阻 (4) 寄生直流电势 霍尔元件零位误差的一部分 当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍 尔电极的输出有一个直流电势 控制电极和霍尔电极与基片（半导体）的连接是非完全欧姆接触时，会产生整流效应。 两个霍尔电极焊点的不一致，引起两电极温度不同 产生温差电势 (5) 霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化1oC 时，霍尔电势变化的百分率 5.2 霍尔传感器 5.2.1 霍尔传感器工作原理 5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路 5.2.3 霍尔元件的主要特性参数 5.2.4 霍尔元件误差及补偿 5.2.5 霍尔式传感器的应用 5.3.4 霍尔元件误差及补偿 1. 不等位电势误差的补偿 2. 温度误差及其补