电力电子技术第二章电力电子器件技术方案.ppt

2.6.3 典型全控型器件的驱动电路 t O i b ◆GTR ?开通的基极驱动电流应使其处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。 ?关断时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 理想的GTR基极驱动电流波形 * 电力电子技术 * 2.6.3 典型全控型器件的驱动电路 电力MOSFET的一种驱动电路 ■电压驱动型器件的驱动电路 ◆电力MOSFET和IGBT ◆为快速建立驱动电压，要求驱动电路具有较小的输出电阻。 ◆使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取10~15V，使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取15 ~ 20V。 ◆关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 ◆在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。 * 电力电子技术 * 2.6.3 典型全控型器件的驱动电路 电力MOSFET的一种驱动电路 ■电压驱动型器件的驱动电路 ◆电力MOSFET ?包括电气隔离和晶体管放大电路两部分；当无输入信号时高速放大器A输出负电平，V3导通输出负驱动电压，当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压。 ?专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。 * 电力电子技术 * 2.6.3 典型全控型器件的驱动电路 ◆IGBT ?驱动电压脉冲要有足够陡的上升沿和下降沿，可使IGBT快速开通和关断，减小开关时间，从而减小开关损耗。 ?低阻抗输出特性。 ?有足够的的驱动功率，使IGBT不致退出饱和而损坏； ?驱动电压一般在15V ~ 20V。 ?关断过程中，栅极施加反偏电压，有利于器件快速关断，一般反偏电压取-2V ~ -10V。 * 电力电子技术 * 2.6.3 典型全控型器件的驱动电路 M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图 ◆IGBT ?多采用专用的混合集成驱动器，常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。 * 电力电子技术 * 第2章 电力电子器件 2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件——电力二极管 2.3 半控型器件——晶闸管 2.4 典型全控型器件 2.5 其他新型电力电子器件 2.6 电力电子器件的驱动要求 2.7 电力电子器件的串并联技术 本章小结 ■对较大型的电力电子装置，当单个电力电子器件的电压或电流定额不能满足要求时，往往需要将电力电子器件串联或并联起来工作，或者将电力电子装置串联或并联起来工作。 目的 2.7 电力电子器件的串联使用和并联使用 三相三重斩波电路 * 电力电子技术 * 2.7.1 晶闸管的串联 晶闸管的串联 a)伏安特性差异　b)串联均压措施 ■晶闸管的串联 ◆目的：当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号器件相串联。 * 电力电子技术 * 2.7.1 晶闸管的串联 晶闸管的串联 a)伏安特性差异　b)串联均压措施 ◆静态不均压问题 ?由于器件静态特性不同而造成的均压问题：串联器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等； ◆静态均压措施 ?应选用参数和特性尽量一致的器件 ?电阻均压，电阻阻值比器件阻断时正、反向电阻小得多。 Rp的阻值应比任何一个器件阻断时的正、反向电阻小得多 * 电力电子技术 * 2.7.1 晶闸管的串联 晶闸管的串联 a)伏安特性差异　b)串联均压措施 Rp的阻值应比任何一个器件阻断时的正、反向电阻小得多 ◆动态不均压问题 ?由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压问题。 ◆动态均压措施 ?选择动态参数和特性尽量一致的器件； ?用RC并联支路作动态均压； ?采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异。 * 电力电子技术 * 2.7.2 晶闸管的并联 ■晶闸管的并联 ◆目的：大功率晶闸管装置中，常用多个器件并联来承担较大的电流。 ◆问题：晶闸管并联就会分别因静态和动态特性参数的差异而存在电流分配不均匀的问题。 * 电力电子技术 *