材料科学基础第三章晶体缺陷教案.ppt

第二节 线缺陷 线缺陷就是在两个方向上尺寸很小，在一个方向上尺寸很大的缺陷。 线缺陷是各种类型的位错。 位错是晶体内部一种有规律的管状畸变区。原子发生错排的范围，在一个方向上尺寸较大，而另外两个方向上尺寸较小，是一个直径为3~5个原子间距，长几百到几万个原子间距的管状原子畸变区。 最简单的位错是刃型位错和螺型位错。 1939年伯格斯提出用伯氏矢量来表征位错的特性，同时引入螺型位错。 1947年柯垂耳利用溶质原子与位错的交互作用解释了低碳钢的屈服现象。 1950年弗兰克与瑞德同时提出了位错增殖机制F—R位错源。 50年代后，透射电镜直接观测到了晶体中位错的存在、运动、增殖。 今天，位错理论已经成为塑性变形及强化的理论基础。 2.位错的基本类型 位错可分为刃性位错和螺型位错。 （1）刃型位错 三种位错滑移的回顾 位错易动性的例子（毛虫的运动） fcc的正常堆垛顺序为ΔΔΔ……，hcp为Δ▽Δ▽…… 若在fcc中抽走一层C，则 A B C A B ↓ A B C A B C Δ Δ Δ Δ▽Δ Δ Δ Δ Δ 插入一层A，则 A B C A B ↓A↓C A B C Δ Δ Δ Δ▽▽△ △ △ 即在“↓”处堆垛顺序发生局部错乱，出现堆垛层错，前者为抽出型层错，后者为插入型层错，可见fcc晶体中的层错可看成是嵌入了薄层密排六方结构。 例：判断下个位错能否进行 作业 第三节 面缺陷 本章小结 1、点缺陷 2、位错类型的判断及其特征、柏氏矢量的特征 3、位错的合成和分解 4、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型 物 质 的 结 构 小 结 （a）面心立方结构（b）面心立方晶胞（c）密排六方结构 面心立方结构、密排六方结构密排面原子堆垛示意图 （a）面心立方结构； （b）密排六方结构 图 密排面的堆垛顺序 a）抽出型； （b）插入型 图 面心立方结构的堆垛层错 2.不全位错 把伯氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为“不全位错” ，其中伯氏矢量小于点阵矢量的位错称为“部分位错”。 不全位错一般表现为晶体原子堆垛层错区与无层错区的边界线，其滑移后原子排列发生变化。 面心立方晶体中，存在两种重要不全位错，即肖克利不全位错和弗兰克不全位错。 图 刃型肖克利不全位错在（110）面上的投影 （a） （b） 图 肖克利部分位错及其伯氏矢量 (1)不仅是已滑移区和未滑移区的边界，而且是有层错区和无层错区的边界。 (2)可以是刃型、螺型或混合型。 (3)即使是刃型肖克利不全位错也只能滑移，不能攀移，因为滑移面上部原子的扩散不会导致层错消失。 (4)即使是螺型肖克利不全位错也不能交滑移，因为螺型肖克利不全位错是沿〈112〉方向，而不是沿两个{111}面的交线〈110〉方向，故它不可能交滑移。 肖克利不全位错有以下的特点： 图 正弗兰克不全位错的形成 弗兰克不全位错有以下的特点 (1)弗兰克不全位错总是纯刃型位错 (2)由于b不是fcc晶体的滑移方向，故弗兰克不全位错不能滑移、只能攀移。这种不可能滑移的位错便称为固定位错，而肖克利不全位错则是可滑位错。 位错之间相互转换(即伯氏矢量的合成与分解)称为位错反应。 位错反应能否进行取决于两个条件： （1）必须满足几何条件即伯氏矢量的守恒性； （2）必须满足能量条件，反应后诸位错的总能量小于反应前诸位错的总能量。 3.位错反应 几何条件：反应前 反应后 能量条件：反应前 反应后 几何条件和能量条件都满足，反应可以发生 4.面心立方晶体中的位错 a.汤普森四面体 面心立方晶体中所有重要位错的伯氏矢量和位错反 应可用汤普森提出的参考四面体和一套标记清晰而 直观地表示出来。 （1）四面体的四个面即为4个可能的滑移面。 （2）四面体的6个棱边代表12个晶向，即为面心立方晶体 单位位错12个可能的伯氏矢量。 （3）四面体的顶点与中心的连线共24个滑移矢量，相当于 肖克利不全位错的伯氏矢量。 （4）四面体的四个顶点到它所对的三角形中心的连线共8 个滑移矢量，代表弗兰克不全位错的伯氏矢量。 （5）四面体的四个面中心连线共6个，是压杆位错的伯氏矢 量。 图 fcc晶体中扩展位错的结构 b.扩展位错 在面心立方晶体中，能量最低的全位错是处在{111}面上的伯氏矢量为 的单位位错。 它可以分解为两个肖克利不全位错： 由于这两个不全位错位于同一滑移面上，彼此同号且其伯氏矢量的夹角θ为60o90o，故它们必然相互排斥并分开，其间夹着一片堆垛层错区，直到层错的表面张力(等于层错能)和不全位错的斥力相平衡时，不全位错的运动才停止，形成稳定的位错组态。这种两个不全位错夹一片层