尼曼半导体物理与器件第四章2教程分析.pptVIP

* 在一个施主杂质浓度为5×1014cm-3的半导体材料中，电子浓度随着温度的变化关系如下图所示，当温度由绝对零度不断升高时，图中曲线分别经历了杂质部电离区、杂质完全离化区（非本征激发区）和本征激发区。 由于本征载流子浓度ni是温度的强函数，因而随着温度的增加，ni迅速增大而使得ni超过杂质载流子浓度，这将导致半导体的掺杂效应弱化或消失。 * 所谓的n型、p型已经涵盖了补偿半导体。 * 4.3.1中定性讨论了电子和空穴浓度随费米能级位置变化而变化的情况，4.5中计算了电子和空穴浓度随掺杂浓度变化而变化， 在本节中将讨论费米能级随掺杂浓度和温度的变化规律 * 整个系统的电子趋向于填充最低的能级。最终，系统达到热平衡时，两块材料的费米能级相同。 第四章 平衡半导体（2） 高等半导体物理与器件 高等半导体物理与器件第四章 平衡半导体（2） 第四章 平衡半导体（2） 第四章 平衡半导体（2） * 4.4 施主和受主的统计学分布 将费米-狄拉克分布函数用于施主杂质能级，则： 其中，g为简并因子，通常为2。nd是电子占据施主能级的密度，Nd是施主原子的浓度，Nd＋是电离施主杂质浓度，Ed是施主能级的能量。 概率分布函数 第四章 平衡半导体（2） * 类似，将费米-狄拉克分布函数用于受主杂质能级时，有： 其中，g是简并因子，对于硅和砷化镓来说通常为4；pa是受主能级中的空穴浓