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第三章 逻辑门电路 §1 逻辑门电路 门：具有开关作用。 门电路：具有控制信号通过或不通过能力的电路。 二、半导体二极管的开关特性 ⒉动态特性 三、半导体三极管的开关特性 ⒈开关作用（续） 例1:计算图示电路的临界饱和电流。 ⒉动态特性 四、基本门电路 ⒈二极管与门(续) ⒉ 二极管或门（D或门） ⑶符号 ⒊ 晶体管非门 (反相器) ⒋ 复合门 §2 TTL集成门电路(与非门) 一、电路 工作原理小结: 3. 输入多发射极的作用 4. 推挽输出电路的作用 TTL集成电路的外特性： 电压传输特性 VO = f(Vi) 输入/输出特性 三、电压传输特性 电压传输特性分析 ⒉几个参数 几个参数（续） ⒊噪声容限 四、输入/输出特性 输入伏安特性(续1) 输入伏安特性(续2) 开门电阻 RON ⒊输出特性 ⑵输出高电平 TTL与非门的改进 ★抗饱和电路 ⒈主要性能（续） ⒊TTL系列说明 六、二种特殊门 2)电平转移功能 ⒉三态门电路 通常数字逻辑是二值的，即仅0，1值，其所对应电路的输出电平是高、低两种状态。在实际电路中，还有一种输出为高阻抗的状态(既非高电平又非低电平的状态) ，被称之为第三状态。于是数字电路的输出就有：0、1和Z（高阻）的三种状态。具有这种功能输出的电路称三态逻辑电路或称三态门电路。 ★多余端处理 §3 CMOS集成门电路 ⒊符号及导通条件 二、CMOS与非门 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理（续） 三、CMOS或非门 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理 ⒉工作原理（续） ⒉工作原理（续2） 五、CMOS系列器件 3）加晶体管驱动 加晶体管驱动LED ⒊多余端处理 ⒋ CMOS器件应用注意 本章要求： 例2 P80题图3－13 (b) 例2 P80题图3－13 (a) ⑵ TTL门驱动CMOS门 TTL的输出高电平和CMOS的输入高电平不匹配。 1）VDD≈VCC时，外加上拉电阻，把VOH(TTL)拉上来，达到VIH(CMOS)的要求 外加上拉电阻后，TTL门在输出高电平时T4,T5都截止，输出电压约为VDD。 VOH=VDD-R (IO+IIH) 其中Io是T5截止时的漏电流 IO,IIH都很小所以，R一般为1k~4.7k即可。此时VOH被提升到接近VDD。 VDD R IO VCC R4 R5 T3 T4 T5 IIH 需要上拉到比较高的电压，普通TTL门电路不能承受。如VDD=15V, 则VIL约11V。这种情况可以使用OC门加上拉电阻的方法实现。计算方法如前。 VCC T2 T3 VDD 还可以使用专门的接口电路如CC40109: 74HCT系列CMOS逻辑门电路VIH=2V，可以直接驱动 2）VDDVCC时 R OC门 CMOS门 VDD VCC R4 R5 T3 T4 T5 RC Rb T T：采用NPN管，β＞100 RC：500Ω～1.5K Ω Rb ： 4.7K Ω ～ 10K Ω 分时控制各个门的CS端，就可以让各个门的输出信号分别进入总线。 同一时刻，只允许一个门进入总线。其他门必须保持为高阻状态 ⑷三态门用途 ０ ０ 1 …… 总线 A3 B3 CS3 A2 B2 CS2 A1 B1 CS1 A4 B4 注意和OC门线与的区别！！ —— 总线连接电路 两个三态门组成的电路， 门1为低电平使能 门2为高电平使能 ——实现数据的双向传输 E=0，门1导通，门2禁止，数据从A?B E=1，门2导通，门1禁止，数据从B?A ⑷三态门用途（续） 防止干扰信号引入、稳定可靠；不改变电路的工作状态。 TTL门电路悬空相当于接高电平； 常用方法： 与输入（与门、与非门、与或非门）： 接高电平（VCC） 并联 悬空（TTL） 或输入（或门、或非门）： 接地电平（GND） 原则： 知识复习： ⒈ MOS管分类 PMOS管:结构简单，工作速度低，负电源工作。 NMOS管:工艺复杂，正电源工作。 CMOS管:PMOS管和NMOS管组成互补电路。 ⒉工作区 TTL: 截止 放大 饱和 CMOS: 截止 饱和 非饱和 相当开关电路: 断开 接通 VN D S G S D G VP PMOS管 NMOS管 VGS＜VTP 时导通 取:VTP =－2V VGS＞VTN 时导通 取:VTN =2V 即:|VGS | ＞ |VTP |= 2V 时导通 ⑴静态功耗小。（约10μW） ⑵允许电源电压范围宽。（3?18V） ⑶扇出系数大。（带同类负载N≥50） ⑷抗噪容限大。（Vth=1