第四章薄膜的化学气相沉积分析报告.pptVIP

* 阴极和衬底鞘层电位-污染 电容耦合PECVD 直流：导电薄膜 射频：导电或绝缘薄膜 不足： （1）电极表面高鞘层电位，离子轰击阴极，产生溅射污染。 （2）等离子密度很高时，产生弧光放电，限制高功率使用。 * 电容感耦合PECVD 原理：高频交变电场诱发交变感应电流，气体击穿及等离子体产生。在反应气体下游放置衬底，即可获得薄膜沉积。（也可上游只输入惰性气体，下游输入反应气体，后者与等离子体混、活化、沉积） 优点：无电极-无鞘层电位-低污染-无弧光放电。 缺点：等离子体均匀性差-薄膜均匀性差。 * * * * * 四、电镀 电镀是电流通过导电液（又称为电解液）中的流动而产生化学反应，最终在阴极上电解沉积某一物质的过程。 组成：浸在电解液中的阳极、阴极 电镀法制备薄膜的原理：电解液中的材料正离子被加速奔向与其极性相反的阴极，在阴极处，离子形成双层，屏蔽了电场对电解液的大部分作用。 * 电镀法的特点： （1）制备薄膜的性质取决于电解液、电极和电流密度； （2）所得薄膜大多是多晶的； （3）薄膜生长速度较快； （4）衬底（基片）可以是任意形状的； （5）只适用于在导电的基片上沉积金属和合金； （6）缺点是电镀过程一般难以控制。 * 五、化学镀 不加任何电场，直接通过化学反应而实现薄膜沉积的方法叫化学镀。 化学镀可以沉积一些金属膜，（Ni，Co，Pd，Au）；也可用于制备氧化物膜（PdO2，TiO2，SnO2等） 特点：不需要高温，设备简单，经济实惠，可大面积沉积 * 六、LB技术 利用分子的活性在气液界面上形成凝结膜，将该膜逐次叠积在基片上形成分子层（或称膜）的技术，称为Langmuir-Blodgett技术（LB技术）。 LB技术是由Katharine Blodgett和Irving Langmuir 在1933年发现的。 利用LB技术，可以生长高质量、有序单原子层或多原子层，其介电强度较高。 * * LB膜可以应用到电子仪器和太阳能转换系统上。 LB膜研究领域如今已有长足发展，大量材料如脂肪酸或其他长链脂肪族材料，用很短的脂肪链替代的芳香族等都可形成高质量的LB膜。 LB技术中，待沉积的分子一定要平衡亲水性区和不亲水性区。分子链的一端是亲水性的（如COOH），另一端为不亲水性的（如CH3）。 LB技术的原理：（1）两性成膜材料溶解到有机溶剂中，滴注到亚相液面上，液面溶剂挥发，双亲基团分子停留在液面上。（2）用挡板对分子层进行压缩，由于亲水和疏水作用，分子站立，形成有序密集排列分子层。 * LB膜可分三类： X、Y和Z型 X型：沉积层只在基片下降时得到； Y型：当基片下降或抽取时实现膜的沉积，此膜称为Y型膜。 Z型：只有当基片抽取时发生膜沉积所获得的为Z型膜。 * * Y型膜的制备可以分为两类： 在不亲水基片上； 在亲水基片上 ※作业题※ 1.什么是 化学气相沉积？优点？缺点？ 2. 化学气相沉积过程的动力学环节。 3.CVD中气体输运过程的强制对流、自然对流，分别以图示之。 4.PECVD法为什么可以在比传统CVD法低的多的温度下沉积？ 5.LB技术中Y型膜的沉积过程（可以作图）。 * * 反应速度常数 图4.10示意性地画出了化学反应从状态1至状态2的自由能变化曲线 * * （三）气体组分的扩散 在CVD过程中，衬底表面附近存在着流动性很差，厚度为δ的气相边界层。气相里的各种组分只有经过扩散过程通过边界层，才能参与薄膜表面的沉积过程。 扩散通量一般表达为 * 扩散过程的推动力是浓度梯度引起的组分自由能梯度。如果dni/dx=0，则没有扩散发生。 气相中组分的扩散系数Di应与气体的温度T和总压力P有关。 * 对于通过衬底表面厚度为δ的边界层的扩散来说，上式可以近似为 * 压力梯度驱动的扩散过程使得该组元得以不断到达衬底表面。 降低压力(提高扩散系数Di)将有利于提高气体的扩散通量，加快化学反应进行的速度。 低压CVD就是利用这一原理，即采用了降低沉积室压力的办法，加快气体组分的扩散和促进化学反应的进行。 * （四）表面吸附及表面化学反应 气体组分在扩散至薄膜表面后，还要经过表面吸附、表面扩散、表面反应、反应产物脱附等多个过程，才能完成薄膜的沉积过程。 吸附、反应、脱附过程的快慢也可能会成为薄膜沉积过程的控制性环节 。 * * * 气相组分向衬底表面的扩散通量为J；到达衬底后被衬底表面俘获得几率为δ；被反射离开衬底表面的几率为1- δ； 化学吸附几率为ζ；凝聚系数为Sc；Sc决定了薄膜的生长速率 在各种物理气相沉积过程中，薄膜的沉积速率只取决于蒸发、溅射来的物质通量，即Sc≈1; 对CVD过程来说，尤其是当衬底温度很低或者衬底表面已经被吸附分子覆盖的情况下，Sc的数值可能很小；而在气相与固相处于平衡下