第八章电性材料解析：.pptVIP

第八章 电性材料 1、半导体的发展与用途 （1）半导体材料的发展 锗单晶最早用于制造二极管和三极管， 但是锗器件热稳定性不如硅。 1941多晶硅制成检波器;1948 拉出单晶硅。 1951 用四氯化硅还原法制备了多晶硅（第一代半导体开始应用）。 1954年和1958年相继研制成第一只硅单晶管和第一块集成电路，硅和电子器件相互促进，被称为“新石器时代”，硅产量和用量标志一个国家的电子工业水平。 二十世纪九十年代，第二代半导体砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）崭露头角。 第八章 电性材料 第三代半导体是以GaN材料P型掺杂的突破为起点，1992年GaN产业应用----美Shuji Nakamura教授制造第一支GaN发光二极管。 1999年日本Nichia公司制造第一支GaN蓝光激光器。在光显示、光储存、激光打印、光照明以及医疗和军事等领域有广阔的应用前景。 以GaN为代表的第三代半导体材料被誉为IT产业新的发动机。 预测销售2003（$10亿）至2009（$50亿） 制作晶体管、集成电路、电力电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、家电、网络、电子信息等产业。2002年我国销售收入1.4亿人民币，全球第三。 2、半导体材料分类 ①元素半导体 金属-非金属Ge、Si、Se、Te等 ； Ge （2s22p2）sp3杂化。 ②化合物半导体 ⅢA--ⅤA AlP、AlS、AlSb、GaP、GaAs、GaSb、InP、InAs、InSb等 ③多元化合物半导体 AgGeSe2、AgGeTe2、 Cu2CdSnTe4、InXGa1-XN， AlXGa1-XN ④固溶体半导体 Ge-Si GaAs-GaP Hg1-xCdxTe ⑤半导体陶瓷 ⑥非晶态半导体 ⑦纳米半导体 第八章 电性材料 （1）硅和锗 ①理化性质 锗、本征电导率50Ω·cm ；硅的约为2.3×105 Ω·cm 常温下稳定，高温与氧、氯反应，自然界没有游离的硅和锗。 锗不溶于盐酸、稀硫酸，但是溶于热硫酸、浓硝酸、HF- HNH3混合酸中。 硅不溶于盐酸、硫酸、硝酸、但是溶于HF-HNH3混合酸中。 所以半导体工业常用HF-HNH3混酸做腐蚀液。 硅化物具有良好的导电性和耐高温、抗迁移等特性。 硅和锗都具有金刚石结构，禁带宽度：锗 0.66eV, 硅 1.12eV。 （2）砷化镓 ①性质：禁带宽度比硅、锗都大，有负阻效应。 ②制备：石英密封管中装有砷源，通过控制砷源温度，来控制系统中的砷压；用液体覆盖熔体，并加压至压力大到砷化镓的离解压的气氛中合成拉晶（液体封闭直拉法） ③用途：发光二极管 显示器 GaAs、InP及其合金一起被称为第二代半导体材料 GaAs是目前最重要的光电子材料，也是硅材料之后最重 要的微电子材料之一。 （5）半导体陶瓷 ① PTC热敏半导体陶瓷：（PTC positive temperature coefficient） BaTiO3为基的(Ba,Sr,Pb)TiO3, BaTiO3；典型铁电材料,常温电阻率大于1012Ω·cm，在纯净的BaTiO3引入微量稀土元素，常温下电阻率可降至10-2～104Ω·cm，若温度超过居里温度，则电阻在几十度的范围内增大3～10个数量级，既产生PTC效应。 ② NTC半导体陶瓷： （Mn、Fe、Co、Ni的氧化物按一定的比例混合，采用陶瓷工艺制备而成。 负温度系数－1%～－6%。 NTC半导体陶瓷一般为尖精石结构，通式为AB2O4，A二价正离子、B三价正离子。 NTC热敏半导体陶瓷材料通常以MnO为主，同时引入CoO、NiO、CuO、FeO等，使其在高温下形成半反或全反尖晶石结构的半导体材料。 常温（MnO-CoO-O2、MnO-NiO-O2、MnO-FeO-O2、MnO-CuO-O2） 高温（Mn-Co-Ni-Al-Cr-O、 Zr-Y-O、 Al-Mg-FeO、 Ni-Ti-O） 应用：电路温度补偿、控温、测温传感器 二、铁电、压电、热释电和介电材料 电介质材料的电性：包括压电性、铁电性和热释电性等。 这些性质与材料中的极化密切相关。 自发极化：是一种极性矢量，造成晶胞中正负电荷中心 沿某特殊方向发生位移。 一般电介质只有在电场作用下才出现极化。 铁电体中存在自发极化，而且自发极化可在电场作用下 转向。 铁电陶瓷：一种电介质材料，主要由钛酸盐、锆酸盐和锡酸盐等构成。具有铁电性，其在电场中的行为与铁磁性材料在磁场中的行为相似，故--- 居里温度：一定的铁磁材料存在一特定的临界温度，称为居里温度，在此温度时它们的磁性发生突变，当温度在居里温度点以上时，它们的磁化率（磁导率）和 磁场强度H无关，