第二章材料的晶体结构解析：.pptVIP

3.密排六方晶格 ( c/a = 1.633 ) ( close-packed hexagonal lattice ) a = b = c, a = b = 90 ° , g =120 ° 4、晶胞中的原子数（N）、原子半径（r） N = 8X 1/8 + 1 = 2 r = a N = 8X1/8 + 6X1/2 = 4 r = a N = 12X1/6 + 2X1/2 + 3 = 6 r = a 1 2 3 4 2 4 4、致密度（K，APF） BCC 4、致密度（K，APF） FCC HCP 4、致密度（K，APF） FCC HCP 计算纯铁由FCC结构转变为BCC结构时的体积变化 解: 在FCC结构中,有: 所以: a = 在BCC结构中, 有: 2 a = 4r 4r 2 3 a = 4r 4r 所以: a = 3 4、致密度（K，APF） 由于在FCC晶胞中有4个原子,因此在FCC中每个原子所占有的体积为: VFCC = = = 5.66 r3 4r 3 1 2 4 a3 4 而在BCC晶胞中只有2个原子, 因此在BCC中每个原子占有的体积为: VBCC = = = 6.16 r3 a3 2 3 2 4r 3 1 4、致密度（K，APF） 假设，在由FCC向BCC晶体结构转变时铁原子半径没有改变，那么，FCC向BCC发生转变时体积的变化为： = V VBCC - VFCC 5.66r3 6.16r3 - 5.66r3 VFCC VFCC = X 100% = 8.8% 从上面的计算可知，金属的同素异构转变过程中，由于晶体结构的变化使其体积发生不可忽视的变化，并会对晶体材料的性能产生很大的影响。 Fcc与hcp的比较 比较 fcc、hcp的结构，两者的配位数与致密度都相等，所以, fcc 与 hcp 都是最紧密的原子排列形式。 fcc hcp 第二节 实际金属的体结构 与晶体缺陷 一.单晶体与多晶体的基本概念 1.单晶体( single crystal )的特征: 单晶体：晶体内部原子规则排列的位向不发生改变的晶体 理想单晶体：晶体内无任何缺陷的单晶体 * * 晶体具有各向异性( aeolotropy )。 例如:单晶硅、单晶锗等。 多晶体：由多个晶粒所组成的晶体 2.多晶体的特征  * 实际金属材料一般为多晶体结构，由许多外形不规则颗粒状小晶体构成，这些小晶体称为晶粒，各晶粒的边界称为晶界。 *晶体具有各向同性( isotropy )。 例如: 常用的金属等。 多晶体结构示意图 二. 晶体缺陷( crystal defect ) 晶体缺陷按空间尺度可分为点缺陷线缺陷面缺陷 1.点缺陷( point defect ) 空位( vacancy ) 间隙原子( gap atom ) 置换原子( substitutional atom ) 点缺陷示意图 间隙原子 晶格空位 置换原子 置换原子与间隙原子 点缺陷 Schottky缺陷: Frenkel缺陷: 在离子晶体中这些缺陷的出现有利于提高离子晶体的导电性。 点缺陷的热运动，造成原子扩散。 高温下扩散加快 应用：化学热处理，退火，烧结等。 物理性能： 电阻增加，体积增大。 应用：测空位浓度，研究空位变化规律。 力学性能： 点缺陷的存在是材料高温蠕变的重要原因。 过饱和点缺陷形成空位片：强度提高，脆性增大。 点缺陷与材料的行为 2. 线缺陷( line defect ) ----位错( dislocation ) 位错 :在晶体中如果畸变是在一线形范围内发生的，这样的线缺陷就称为位错缺陷 螺旋型位错( screw dislocation ) 刃型位错( blade dislocation ) 刃型位错 刃型位错：相当于