微电子工艺原理-第4讲3薄膜工艺化学气相淀积教案分析.pptVIP

1 第六讲 薄膜工艺 之化学汽相淀积一 主讲人：李方强 主要内容 早期nMOS晶体管的各层膜 稳定状态： F1=F2=F ∴ Cs=Cg/(1+ks/hg) （1）hg ks时，Cs趋向Cg，淀积速率受表面化学反应控制 （2）ks hg时，Cs趋向0，淀积速率受质量输运速率控制 薄膜淀积速率（其中N1表示形成一个单位体积薄膜所需要的原子数量）： 薄膜淀积速率(1) 如上所述，反应气体或生成物通过边界层，是以扩散的方式来进行的，而使气体分子进行扩散的驱动力，则是来自于气体分子局部的浓度梯度。 （3）质量的传递 简单地说，CVD反应的进行，涉及到能量、动量、及质量的传递。反应气体是借着扩散效应，来通过主气流与基片之间的边界层，以便将反应气体传递到基片的表面。 接着因能量传递而受热的基片，将提供反应气体足够的能量以进行化学反应，并生成固态的沉积物以及其他气态的副产物。 前者便成为沉积薄膜的一部分；后者将同样利用扩散效应来通过边界层并进入主气流里。主气流在基片上方的分布，则主要是与气体的动量传递相关。 2．CVD动力学 反应步骤彼此是相互串联的，所以CVD反应的反应速率，便取决于这几个步骤里面最慢的一项。其中最值得注意的是反应气体的扩散 反应气体通过边界层的步骤，可以用式1来表示。假设这个气体流量为F1，而气体分子在基片表面进行化学反应所消耗的数量，以F2来代表。则这个流量可以写为 （1）F1=hg(Cg─ Cs) （2）F2=ksCs 其中：hg为气相质量输运系数，ks为表面化学反应速率常数 结论： （1）淀积速率与Cg（反应剂的浓度）或者Y（反应剂的摩尔百分比）成正比； （2）在Cg或者Y为常数时，薄膜淀积速率将由Ks和hg中较小的一个决定。 对于一个确定的表面反应，当温度升高到一定程度时，由于反应速度的加快，输运到表面的反应剂数量低于该温度下表面化学反应所需要的数量，这时的淀积速率将转为由质量输运控制，反应速度不再随温度变化而变化。 增加气流速率可以提高淀积速率 当气流速率大到一定程度的时候，淀积速率受表面化学反应速率控制 * 化学气相沉积合成方法发展 化学气相沉积定义：通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。 化学气相沉积的英文词原意是化学蒸汽沉积（Chemical Vapor Deposition,CVD），因为很多反应物质在通常条件下是液态或固态，经过汽化成蒸汽再参与反应的。 化学气相沉积的古老原始形态可以追朔到古人类在取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层。 作为现代CVD技术发展的开始阶段在20世纪50年代主要着重于刀具涂层的应用。 从20世纪60～70年代以来由于半导体和集成电路技术发展和生产的需要，CVD技术得到了更迅速和更广泛的发展。 CVD技术不仅成为半导体超纯硅原料—超纯多晶硅生产的唯一方法，而且也是硅单晶外延、砷化镓等Ⅲ～Ⅴ旋半导体和Ⅱ～Ⅵ旋半导体单晶外延的基本生产方法。 在集成电路生产中更广泛的使用CVD技术沉积各种掺杂的半导体单晶外延薄膜、多晶硅薄膜、半绝缘的掺氧多晶硅薄膜；绝缘的二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃薄膜以及金属钨薄膜等。 在制造各类特种半导体器件中，采用CVD技术生长发光器件中的磷砷化镓、氮化镓外延层等，硅锗合金外延层及碳化硅外延层等也占有很重要的地位。 CVD技术的基本要求 为适应CVD技术的需要，选择原料、产物及反应类型等通常应满足以下几点基本要求： (1)反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸气压而易于挥发成蒸汽的液态或固态物质，且有很高的纯度； (2)通过沉积反应易于生成所需要的材料沉积物，而其他副产物均易挥发而留在气相排出或易于分离； (3)反应易于控制。 CVD技术的特点 CVD技术是原料气或蒸汽通过气相反应沉积出固态物质，因此把CVD技术用于无机合成和材料制备时具有以下特点： （1）沉积反应如在气固界面上发生则沉积物将按照原有固态基底（又称衬底）的形状包覆一层薄膜。 （2）涂层的化学成分可以随气相组成的改变而改变从而获得梯度沉积物或得到混合镀层 （3）采用某种基底材料，沉积物达到一定厚度以后又容易与基底分离，这样就可以得到各种特定形状的游离沉积物器具。 （4）在CVD技术中也可以沉积生成晶体或细粉状物质，或者使沉积反应发生在气相中而不是在基底表面上，这样得到的无机合成物质可以是很细的粉末，甚至是纳米尺度的微粒称为纳米超细粉末。 （5）CVD工艺是在较低压力和温度下进行的