微电子化学第二章教案分析.pptVIP

磨料SiO2的作用 一、研磨的作用 二、引发催化的作用 Si + SiO2 ? 2SiO SiO+2OH- ? SiO32-+H2↑ SiO2(即四价硅)在高压与抛光温度下与硅反应生成SiO(即二价硅)，三价硅再与碱进行氧化还原反应。 (2.2). (2.3)式的反应比(2.1)式的反应容易得多。因而SiO:胶体在抛光中能起一种引发催化作用。这很容易解释pH值为9的胺溶液抛光很慢而加入少量的SiO:溶液，抛光速率提高几十倍的原因。 上述反应机理对“硅片在pH=9的胺液反应极慢， 影响抛光速率及抛光表面质量的因素 1. PH值的影响 2. 温度的影响 3. 压力的影响 5. 硅片晶向的影响 6. 流量的影响 7. 转盘的旋转速度 SiO2的浓度与粒度的影响 8. 粘贴物的影响 9. 抛光垫的影响 随着pH值的增加硅的去除速率随之增加， 1. PH值的影响 但pH达到一定值后，表面从疏水性变为亲水性，去除速率出现显著下降。 另外抛光液的pH值的大小要于压力、温度等参数相匹配，否则影响抛光速率和表面质量。 一般在相同pH值下，有机碱的抛光速率大于无机碱的抛光速率。 这是因为虽然它们与硅的化学反应相同，但它们与产物Si032-(或HSi03-)的作用不大相同，因而产物脱离硅片表面快慢差异很大。 如:氢氧化钠、季胺强碱和多胺弱碱与产物的反应为: Si+2OH- + H2O ? SiO32-+2H2↑ 在水溶液中Na+对产物Si032-，作用力最弱，二胺弱碱与Si032-形成高分子聚合物作用力最强。 所以在抛光过程中NaOH, R4NOH, NH2-R-NH2：三种试剂对产物Si4+的作用力依次增强，致使产物脱离硅片表面的速度也依次加快，使抛光速率依次增大。 季胺强碱 Si+2OH- + H2O ? SiO32-+2H2↑ 氢氧化钠 多胺弱碱 * 2.1.1 单晶锭外形整理 切割分段、外圆滚磨、定位面研磨 a.切割分段：将籽晶、肩部、尾部的直径小于规格要求的部分以及电阻率和完整性不符合规格要求的部分切除。 b.外圆滚磨：包括液体磨料研磨和砂轮研磨两次加工过程。 液体研磨的作用是去除单晶锭表面的毛刺； 砂轮研磨是使晶锭直径达到规格所要求的尺寸。 c.定位面研磨：沿晶锭轴线方向在晶锭表面研磨1个或2个平面。 2.1.2 切片 晶片粘着、晶片定位、切片 a.晶片粘着：要将晶棒稳固地固定在切片机上，需将晶片黏着于与晶棒同长的石墨条上。 b.晶片定位：利用X射线绕射方法决定晶棒在切片机上的正确位置，定位结束后，切片机即可正常运行。 c.切片： 2.1.3 倒角 倒角就是用具有特定刃部轮廓的砂轮磨去硅圆片周围锋利的棱角。 倒角可利用化学腐蚀、晶面抹磨、轮磨的方式完成。 切割后的硅片表面具有一定程度的微裂、破碎损伤和形变，切片后必须进行磨片和磨片后清洗。 2.1.4 磨片 磨片目的： a.去除硅片表面的切片刀痕和凹凸不平。 b.使表面加工损伤达到一致，这样在化学磨蚀过程中，表面腐蚀速度才能达到均匀。 c.调节硅片厚度，使片与片之间厚度差缩小。 d.提高平行度，使硅片各处厚度均匀。 f.改善表面平整度。 磨料： 多用硬度和粒度大的金刚石为主要原料。 磨削液： 磨削液作用： a.悬浮作用：吸附在磨料固体颗粒表面，使得颗粒分散开。 b.润滑作用：减少磨粒、磨屑和磨削表面间的摩擦。 c.冷却作用：降低磨削区温度。 d.去损作用：一般情况下，研磨液为碱性，在磨削过程中可以和硅反应，致使磨片剩余损伤层小，使后部工序加工量小，使磨片损伤度降低。 e.清洗作用：磨削产生的大量细碎的磨屑和磨粒粉末，容易黏附在磨片和磨床表面，可以通过增强磨削液的动能来提高磨削液效率。 f.防锈作用：使设备不锈蚀。 表面活性剂： 活性剂在研磨中的作用 （1）空间稳定理论 对磨料的有效悬浮常选用分散剂。 表面活性剂的分散性是指吸附在固体颗粒表面上产生足够高的位垒，使颗粒分散开来的性质 具有这种性质的表面活性剂为分散剂。 在高聚物或非离子表面活性剂的水溶液或非水溶液中，高分子的稳定作用主要是由于质点表面吸附高分子化合物后，微粒表面上吸附的大分子从空间阻碍了微粒相互接近，进而阻碍了它们的聚结，这类稳定作用为空间稳定作用。 空间稳定作用 a.体积限制效应理论 b.混合效应理论 空间稳定作用 高分子化合物吸附在质点表面，由于高分子长链有多种可能构型，当 2个带有高分子吸附层的质点接近时，彼此间的吸附只是受挤压，体积有所缩小而不能互相穿透，由于空间限制使高分子链采取的可能构型数减少，构型熵减少，会使体系的自由能增加而产生排斥作用(或称熵排斥作用)使质点稳定， 熵排斥能越高，质点越稳定。 a. 体积限制效应理论 当2个带有高分子吸附