第三章 溅射镀膜解决方案.pptVIP

20 ?优点： （1）高速－沉积速率快； （2）低温－基片的温升低； （3）低损伤——对薄膜的损伤小。 一般称磁控溅射为低温高速溅射。 除以上优点，还有一般溅射的优点： 薄膜均匀、致密、针孔少、纯度高、附着力强； 可以进行反应溅射； 能制备成分稳定的合金薄膜； 工作压力范围广； 应用的靶材广。 磁控靶表面电子的运动轨迹 磁控溅射源的共同特点： （1）磁场与电场垂直； （2）磁场方向与阴极靶表面平行，并组成环形磁场。 以平面溅射源为例，讨论磁控靶表面电子的运动情况。 假设电场强度E，磁感应强度B，其中的运动粒子质量m，电荷q，速度v。 其运动方程式为： 从式3-101可得： 选取如图所示的坐标系，使E与x轴反平行，B沿Z轴 (3 ? 101) (3 ? 102) (3 ? 103) (3 ? 104) Z方向的运动简单，可以不考虑。 从式3-102对t微分，带入(3-103)得到： (3 ? 105) 积分可得下式，其中v0、δ为初始条件决定的常数： (3 ? 106) 如果令ω≡qB/m，ω为粒子回旋的角频率。若用电子的电量e代替式中的 q，得到ωe≡eB/m， ωe称为电子的回转频率。同样计算vy有： (3 ? 107) 从3-106，3-107计算x、y得到，其中x0、y0为待定常数： (3 ? 109) (3 ? 108) 从3-108，3-109看出，粒子的运动是圆周与直线运动的和。 假设yz面为阴极靶表面，从阴极发射的电子的运动，可以用-e代替q得 到。电子的圆周半径为： 5. 溅射率的表达式 按照以下4点考虑得到溅射率的表达式： （1）确定荷能粒子在表面附近的能量 （2）确定产生的低能溅射原子的数目 （3）确定这些溅射原子中到达基板表面的数目 （4）确定到达基板表面的溅射原子中能量超过结合能的原子数目 ?离子能量E1keV, 垂直入射时的溅射率有： (3 ? 4) 其中，Tm是最大传递能量，对级联碰撞来说，Tm是溅射过程最大的反 射能量；V0是靶材元素的升华能，α是与m2/m1（靶原子和入射离子的 质量）有关的量，一般在0～1.5之间。 ?离子能量E1keV, 垂直入射时的溅射率有： 其中，ε为： (3 ? 7) α12称为汤姆逊－费米屏蔽半径，Z1、Z2分别为轰击离子和靶材的原子 序数。ε无量纲，称为折合能量；Sn（E）称为核阻止截面。 图3－9列出计算值与实验测定值的差异，除过渡元素外，其他元素符 合的较好。 其中，Sn(E)由下式给出： (3 ? 6) (3 ? 5) (3 ? 11) 36 ?一般地，溅射率可从下式简单计算得到： W = RtAd (3 ? 9) 其中，R为刻蚀速率（cm/s），A为样品面积（cm2），d为材料密度 （g/cm3）。离子电流I有： I = JA (3 ? 10) J为离子电流密度（A/cm2）。 由此得到溅射率为： 其中，W为靶材的损失量（g），m为原子量，I为离子电流（A），t溅射 时间（s）。 (3 ? 8) 37 3.1.3 溅射过程 溅射过程包括靶的溅射、逸出粒子的形态、溅射粒子向基片的迁移和成 膜。 （1）靶的溅射过程 主要过程：入射离子与靶材碰撞后，将动量传递给靶材原子，使其获得的 能量超过靶材原子的结合能，从而使其溅射出来。 其他过程： 入射离子从靶表面发射； 入射离子在轰击过程中捕获电子后成为中性原子或分子，从表面反射； 离子轰击靶引起靶表面逸出次级电子； 离子深入靶表面产生注入效应； 吸附气体的解析； 辐射射线等。 38 除了中性离子沉积成薄膜外，其他效应会对溅射膜层的生长产生很大的影响。 而且，这些效应同样会作用于待镀的基片上。因为一般基片接地，相对于阳极处于负电位。 对于介质靶材，溅射率比金属靶材的小，但电子发射系数大。 39 （2）溅射离子的迁移过程 靶材被轰击后逸出的粒子中，正离子由于电场的作用不能到达基片，其余的粒子会向基片迁移。 中性原子或分子在放电空间的飞行中，与工作气体分子发生碰撞的平均自由程为： (3 ? 13) 其中，C1是溅射离子的平均速度，ν11是溅射离子之间的平均碰撞次数， ν12是溅射粒子与工作气体分子之间的碰撞次数。一般，溅射离子的密度远小于工作气体分子的密度， ν11可以忽略，则有： (3 ? 12) ν12与工作气体分子的密度n2、平均速度c2、溅射粒子与工作气体分子 的碰撞面积Q12有关，可以表示为： (3 ? 15) 溅射镀膜一般的压力在10－1～101Pa，估算的平均自由程约为1～10cm， 基片与靶的距离应与此值接近，否则溅射粒子会在迁移中发生多次碰撞， 降低了靶材原子的动能，