材料表面改性第5章解析.ppt

CVD的基本过程 高 温 基 底 扩散 分解 副产物脱附 表面扩散 反应/产物聚集成团簇 团簇成核 晶体生长成膜 高熔点化合物薄膜 氧化物、碳化物、氮化物薄膜 Al2O3、CrO3、TiN、SiC 采用“反应蒸镀法” ①同时充入相应气体，使两者化合沉积成膜。 ②在蒸发源与基板间形成等离子体。 化学气相沉积的分类 按激发方式 热CVD、等离子体CVD、光激发CVD、激光（诱导）CVD 按反应室压力 常压CVD、低压CVD 按反应温度 高温CVD、中温CVD、低温CVD CVD应用实例1——石墨烯薄膜的制备 石墨烯（Graphene）是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成，只有一个碳原子厚度的二维材料，呈六角型蜂巢晶格的平面薄膜。 石墨烯是迄今为止发现的厚度最小、强度最大、导电性最好的材料。 CVD是典型的原子沉积技术，可实现石墨烯在特定基体（或衬底）上的生长。 反应原理：甲烷热分解CH4 = C + 2H2 ↑ 生长石墨烯的铜箔 转移到玻璃表面的石墨烯薄膜 用氧化剂浸蚀Cu X. S. Li, et al. Science. 2009, 324: 1312-1314. CVD应用实例2——模具表面硬化 反应原理：以金属卤化物为前驱体生成硬质陶瓷膜。 2AlCl3 (g)+ 3H2O(g) = Al2O3 (s)+ 6HCl(g) 2TiCl4 (g)+ N2(g)+4H2 = 2TiN(s)+ 8HCl(g) CVD应用实例3——半导体材料的外延生长 如：硅晶片的Si气相外延生长。 SiCl4 (g)+ 2H2(g)= Si(s) + 4HCl(g) 外延生长（epitaxy，epi：在…上面；taxis：有序排列），即在衬底材料上延续生长单晶薄膜的技术，包括同质外延（Si/Si衬底）和异质外延（GaAs/Si衬底） CVD应用实例4——沉积混合涂层 燃料电池梯度阴极（连续控制涂层组成） Y. Liu, et al. Fuel Cells Bulletin. 2004, 10: 12. 可形成各种金属、合金、陶瓷及其它化合物涂层。 CVD的特点 覆盖性好，适用于复杂形状的基材及颗粒。 可在常压或低压沉积。 采用等离子体或激光可显著促进化学反应，降低反应温度。 改变镀层化学成分、密度、纯度，得到各类混合涂层，如梯度涂层。 实例：以硅烷和氨气为反应物，采用TCVD制备Si3N4薄膜需800~1000 ℃，LCVD需380~450 ℃，PCVD仅需350 ℃。 集成电路芯片的表面钝化工艺中， 800 ℃会损坏芯片电路，而 350 ℃沉积氮化硅不仅不会损坏芯片，还能实现钝化保护。 大作业 以单晶硅为例，简述如何通过CVD技术实现半导体材料的外延生长？ * * 第 5 章 气相沉积技术 本章重点 物理气相沉积（PVD）三种基本方法的比较。 化学气相沉积（CVD）的原理与应用。 5.1 气相沉积法制备薄膜 气相沉积的步骤 ①提供气相镀料 ②镀料向所涂覆的基片输送 ③镀料沉积在基片上成膜 气相沉积的类型 若沉积粒子来源于气相条件的化学反应，则称为化学气相沉积（CVD）；否则称为物理气相沉积（PVD）。 随着科学技术的发展，也出现了不少交叉的手段。例如：利用溅射或离子轰击使金属气化，再通过气相反应生成氧化物或氮化物，就是物理过程和化学过程相结合的产物，相应地就称之为反应溅射、反应离子镀或化学离子镀等。 蒸镀、溅射、离子镀、离子束沉积、分子束外延等。 PVD技术 CVD技术 热CVD、等离子增强CVD、激光CVD等。 CVD金刚石镀层 利用等离子沉积增强手段，使许多难以发生的化学反应变得容易进行。例如，人工合成金刚石，需要1600~1800 K、6000 MPa的条件，但采用微波等离子CVD，以甲烷和氢气为原料，则在低于10 kPa和450 ℃条件下合成金刚石。 5.2 物理气相沉积（PVD） 什么是PVD？ 三大PVD技术 真空蒸发镀膜 溅射镀膜 离子镀膜 基本技术 创新与发展 在沉积环境中,以各种物理方法产生的原子或分子在基体上形成薄膜或涂层的过程。 5.2.1 真空蒸镀 定义：高真空中通过加热使镀料蒸发或升华，然后凝聚在基体表面的方法。 蒸镀的特点 适用范围广 薄膜纯度高 沉积速度大 可大规模生产 真空：在指定空间内压力低于标准大气压的气体状态。 低真空 105~102 Pa 中真空 ＜ 102~10-1 Pa 高真空 ＜ 10-1~10-5 Pa 超高真空 ＜ 10-5 Pa 真空度区域 真空度：用来表示真空状态下气体的稀薄程度。 真空与真空度 真空度影响 高真空度：镀料沿直线到达基材 低真空度：镀料与气体分子碰撞 能量损失 化学反应 真空是气态原子/分子从蒸发源到基体表面的输运介质。 蒸镀：