2-1PN结及二极管解析.pptVIP

(2) 反向恢复过程形成的原因 当外加输入电压由正偏突变为反偏时，原来的少子积累并不会马上消失，而是在反向电场作用下，一方面进一步与多子复合，另一面将漂移到原来的区域。这个过程需要时间。 (3)二极管的开通时间 理论上讲，二极管从反向截止转向正向导通亦需要一定的时间，也称其为开通时间，但开通时间与反向恢复时间相比要短得多，它对二极管的开关速度几乎不产生影响，所以一般都忽略不计。 **二、单相半波整流电路 **三、 单相全波整流电路 2. 二极管的伏安特性曲线 U为二极管两端的电压降 (1) 正向特性 开始出现正向电流，并按指数规律增长。二极管导通。 iD ≈ 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth 0 ? U ? Uth 导通电压 UD(on) = (0.6 ? 0.8) V 硅管 0.7 V (0.2 ? 0.3) V 锗管 0.3 V Uth 开启电压 (2) 反向特性 当U＜0时，即处于反向特性区域。 反向区也分两个区域： 当UBR＜U＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当U≥UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压 。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡