功能薄膜分析报告.pptVIP

功能薄膜 材料功能的发挥和作用发生在材料表面：如光催化、光学反射等等。 薄膜材料往往具有一些块体材料所不具有的功能。 薄膜材料容易形成细晶、非晶状态； 薄膜材料容易处于亚稳状态； 薄膜往往偏离化学计量比； 特殊的材料表面能态。 超导薄膜 1986 年以前，超导材料的最高临界温度只有23.2 K。1986 年 IBM 公司苏黎世实验室的 Bednorz和 Muller报导发现无机化合物 La2-xBaxCuO4-δ在30 K 下发生超导转变，接着在世界各地很快发现YBa2Cu3O7-δ系列的超导转变温度可高达 90 K，于是引发世界范围的高温超导（High Temperature superconduct， HTS）体研究热潮。 很快这一研究热潮扩大到了高温超导薄膜，成为电子材料研究领域中的一个热门课题。至今，已发现了大量的銅酸盐高温超导相化合物薄膜，它们的超导临界转变温度Tc）从18 K～135 K 变化，制成了许多的外延膜。 研究目的 在研究和探索上述新型的超导薄膜时，追求的性能目标不同，以便为高温超导薄膜在微电子学领域的应用奠定基础： 提高临界超导温度（Tc）和临界电流密度（Jc）； 提高对磁场的相应灵敏度，或频率宽度等； 目前研究的HTS的种类 钇钡銅氧及其系列的超导薄膜，也就是在 YCBO 的基础上添加其他微量元素，这些添加元素大部分为镧系元素，如镨（Pr）鉕（Pm）、钐（Sm）、镝（Dy）、钬（Ho）等，形成形如 Y1－xHoxBa2Cu3O7－δ一类超导薄膜。 这样做的原因是稀土元素具有与钇不同的外层电子结构和离子半径，它们部分甚至全部替代钇时，可能会引起原子尺度上变化和氧化物超导体的电子结构的变化，以提高其性能指标。 GdBa2Cu3O7-δ 钡锶钛氧（Ba0.6Sr0.4TiO3，BSTO）以及添加 Mg 等添加剂的Ba0.6Sr0.4TiO3复合物系列（如BSTO/MgO等）。 HTS薄膜外延生长技术 原位生长：即材料在沉积过程中就能生成所需的晶相 非原位生长：材料在沉积中或者呈现非晶态，或者是多晶相的聚合体，并在后续的退火过程中形成所需的 HTS 相 原位生长 优点：能够获得相对平整的薄膜表面和能够制备多层结构 动力学以及形成合适物相所必须的热力学都要求淀积过程在高温（650 ℃～800 ℃）和氧气气氛下进行。 物理沉积技术，如共蒸发、分子束外延（MBE）、脉冲激光淀积、以及溅射等；有机化学气相沉积（MOCVD）和液相外延（LPE）。 在物理沉积 HTS 銅酸盐过程中，物相所含各种成分以单一原子或单一氧化物成分的束流形式输送，大多数情况下薄膜生长过程都能达到原子级别的控制，故能制备出各种新奇的多层结构。 磁性薄膜 磁记录材料 磁记录材料的性能要求 剩余磁感应强度Br 高； 矫顽力 Hc 适当的高； 磁滞回线接近矩形，Hc 附近的磁导率尽量高； 磁层均匀； 磁性粒子的尺寸均匀，呈单畴状态； 磁致伸缩小，不产生明显的加压退磁效应； 基本磁特性的温度系数小，不产生明显的加热退磁效应。 磁记录材料 颗粒（磁粉）涂布型介质 连续薄膜型磁记录介质 由于连续薄膜型介质容易做到薄，均匀，不易氧化，同时又无须采用粘结剂等非磁性物质，所以剩余磁感应强度及矫顽力比颗粒涂布型介质高得多，是磁记录介质发展得方向。 制备连续薄膜型磁记录介质的方法 湿法和干法： 湿法也称化学法，主要包括电镀和化学镀； 干法也称为物理法，溅射法、真空蒸镀法及离子喷镀法等 提高磁记录密度 如： CoCrPt（10nm）(Gb/in2)/Cr(5nm)/ CoCrPt（10nm）材料，加入中间的 Cr 层目的是使两层 CoCrPt 磁膜间产生磁退耦合作用，矫顽力 Hc 高达 295 kA/m，晶粒非常小； CoCrPt（12.5nm,Vb=-175V）/ CoCrPt（5nm, Vb=0）/ CoCrPt（10nm, Vb=-175V）材料（此处 Vb 表示沉积时基片偏置电压）的矫顽力 Hc 为 218 kA/m，高矩形比为 0.90； CoCrPt（20nm）/CoCrTa(5nm)材料，矫顽力 Hc 为 296 kA/m，矩形比为 0.88。 巨磁阻薄膜 磁电阻（magnetoresistance, MR）效应是指由外磁场改变而引起物质电阻发生变化的现象。 对于大部分金属，MR 仅为 10－5 量级，软磁坡莫合金(Ni80Fe20)的 MR 为 1％～5％。1988 年 Baibich 等在用分子束外延法制备的（001）Fe/(100)Cr 超晶格多层薄膜中发现其磁电阻变化达50％，被称为巨磁阻 (giant magnetoresistance，GMR) 效应。 现已在多层薄膜、颗粒薄膜、非连续多层薄膜、氧化物陶