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第10章 存储器层次结构 一、单项选择题 【例10-1】动态存储器DRAM的刷新原则是（ ）。 A．各DRAM芯片轮流刷新 B．各DRAM芯片同时刷新，片内逐位刷新 C．各DRAM芯片同时刷新，片内逐字刷新 D．各DRAM芯片同时刷新，片内逐行刷新 【例10-2】某一SRAM芯片，容量为1024×8位，除地址线和电源端外，芯片最少引出线数为（ ）。 A．16 B.17 C．20 D．21 【例10-3】动态RAM利用（ ）。 门电路存储信息　 Ｂ．寄存器存储信息 Ｃ．电容存储信息　　 Ｄ．触发器存储信息 【例10-４】利用4片8K×4位存储芯片，可构成容量为（ ）存储器。 　 A．32K×16位 B．8K×8位 C．16K×8位 D．16K×16位 【例10-5】下列存储设备中，（ ）的存取数据速度最快。 A．RAM B．磁盘 C．光盘 D．硬盘 【例10-6】在Cache和主存构成的两级存储体系中，Cache的存取时间是100ns，主存的存取时间是1000ns，如果希望有效（平均）存取时间不超过Cache存取时间的15%，则Cache的命中率至少为（ ）。 A．90% B．98% C．95% D．99% 【例10-7】Cache用组相联映射，一块大小为128字节，Cache共64块，4块分一组。主存有4096块，主存地址共需（ ）位。 　 A．19 B．18 C．17 D．16 【例10-8】8片16K×4的存储器可以设计为（ ）存储容量的16位存储器。 　 A．32K B．64K C．16K D．128K 【例10-9】下列（ ）不是主存与Cache间常用的地址映像方式。 　 A．直接映像 B．全相应映像 C．组相联映像 D．直接相连映像 【例10-10】若片选地址为101时，选定某一32K×16位的存储芯片工作，则该芯片在存储器中的首地址和末地址分别为（ ）。 　 A．00000H；01000H B．28000H；2FFFFH C．2800H；2FFFH D．0000H；0100H 【例10-11】双端口存储器和多模块交叉存储器属于必行存储器结构，前者和后者采用的技术分别是（ ）。 　 A．空间并行；时间并行 B．时间并行；空间并行 C．空间并行；空间与时间共同并行 D．空间与时间共同并行；时间并行 【例10-12】关于MOS半导体存储器，下列说法正确的是（ ）。 　 A．静态MOS存储器需要刷新 B．动态MOS存储器需要刷新 C．静态MOS存储器和动态MOS存储器都需要刷新 D．静态MOS存储器和动态MOS存储器都不需要刷新 【例10-13】磁表面存储器的记录方式可为四种，则磁盘存储器采用（ ）方式。 　 A．归零制 B．不归零制 C．调相制 D．调频制 【例10-14】DRAM之所以刷新是因为（ ）。 　 A．DRAM上存储信息陈旧，需要更新信息 B．电容上的电荷会泄露，需要定时补充电荷 C．人们需要刷新来保持存储信息的及时性 D．DRAM不需要刷新 【例10-15】高速缓冲存储器的配置是为了解决（ ）之间的速度差异。 　 A．CPU与外存 B．主存与外存 C．CPU与主存 D．CPU与存储器 【例10-16】在组相联映像的Cache中，用于判断命中与否的标志是（ ）。 　 A．块表存储器中读出来字的区号、块号与主存地址中相应的区号、块号不相等 B．块表存储器中读出来字的区号与主存地址中相应的区号相等