载流子浓度与电导率.pptVIP

影响迁移率的因素 电阻率 杂质带导电： 杂质能带中的电子通过在杂质原子之间的 共有化运动参加导电的现象。 禁带变窄效应： 重掺杂时，杂质能带进入导带或价带，形 成新的简并能带，简并能带的尾部深入到禁带 中，称为带尾，从而导致禁带宽度变窄。 导带 Eg 施主能级 价带 施主能带 本征导带 简并导带 能带边沿尾部 Eg E′g 价带 简并： △ED→0，Eg→Eg＇ 禁带变窄 ●施主能级分裂成能带； ●导带 = 本征导带 + 杂质能带 ●在 EC 附近，gC(E) 明显增加 ●杂质上的电子直接参与导电 ● 电子占据量子态的几率： 费米分布函数 ● 能量状态密度： 导带：gC(E) ∝ E 1/2 价带：gV(E)∝-E 1/2 第三章 小结 ● 载流子浓度： 导带电子浓度： 价带空穴浓度： 浓度积： ● 本征半导体： ●杂质半导体(杂质原子全部电离)： 半导体中的导电性 第三章 载流子输运 ● 载流子的漂移运动和迁移率 ● 迁移率和电导率随温度和杂质浓度的变化 §4.1 载流子的漂移运动和迁移率 一、漂移运动和漂移速度 外加电压时，半导体内部的 载流子受到电场力的作用， 作定向运动形成电流。 漂移运动：载流子在电场力作用下的运动。 漂移速度：载流子定向漂移运动的速度。 E 外电场作用下电子的漂移运动 二、欧姆定律 金属： —电子 半导体： —电子、空穴 微分形式 电流密度 J（A/m2): 通过垂直 于电流方向的单位面积的电流。 E 为电场强度 电流 I(A): 单位时间内通过垂直于电流方向的某一面积的电量。 三、电导率 ? 的表达式 设 ：Vdn和Vdp分别为电子和空穴的平均漂移速度。 以柱形 n 型半导体为例，分析半导体的电导现象 ds表示A处与电流垂直的小面积元，小柱体的高为 Vdndt 在dt 时间内通过ds的截面电荷量，就是A、B面间小柱体内的电子电荷量，即 A Vdndt B ds Vdn 其中 n 是电子浓度，q 是电子电荷 电子漂移的电流密度 Jn 为 在电场不太强时，漂移电流遵守欧姆定律，即 其中σ为材料的电导率 E 恒定，Vdn 恒定 E ?, J?, Vdn? 平均漂移速度的大小与 电场强度成正比，其比 值称为电子迁移率。 因为电子带负电，所以Vdn一般应和 E 反向，习惯上迁移率只取正值，即 上式为电导率和迁移率的关系 单位场强下电子 的平均漂移速度 对于空穴，有 ： μn和μp分别称为电子和空穴迁移率， 单位为 cm2V-1s-1 1、与散射的关系：载流子迁移率的变化与半导体内发生散射的数量成反比，主要包括：晶格散射和电离杂质散射 2、与掺杂的关系：低掺杂浓度情况下，载流子的迁移率基本上与掺杂浓度无关，超过10^15/cm^3时，迁移率随着NA和ND的增加单调的减小 3、与温度的关系：对于NA或ND≤10^14、cm^3时，μn∝T^(-2.3), μp∝T^(-2.2), 半导体内总的电流密度和电导率为： * * * * 二、本征载流子浓度及影响因素 本征载流 子浓度 ni 2. 影响 ni 的因素 (1) mdn、mdp、Eg ——材料 (2) T 的影响 T↑，lnT↑，1/T↓，ni↑ 高温时，在 ln ni～ 1/T 坐标下，近似为一直线。 3. 杂质半导体载流子浓度积与 ni 关系 强调：不仅适用于本征半导体材料，也适用于非简并的杂质半导体材料。 在常温下，已知施主浓度 ND，并且全部电离，求导带电子浓度 no 和价带空穴浓度 po ∵ 施主全部电离 ∴ no= ND n 型半导体 应用 在常温下，已知受主浓度 NA，并且全部电离，求导带电子浓度 no 和价带空穴浓度 po ∵ 受主全部电离 ∴po = NA P型半导体 三、本征半导体在应用上的限制 ●纯度达不到 本征激发是载流子的主要来源 （杂质原子/总原子 ＜＜ 本征载流子/总原子） Si：原子密度 1023/cm3，室温时，ni =1010/cm3 本征载流子/总原子=1010/1023=10-13＞杂质原子/总原子 要求Si的纯度必须高于99.9999999999999%！ ●本征载流子浓度随温度变化很大 在室温附近： Si: T ↑， 8K ni↑ 一倍 Ge: T ↑， 12K ni↑ 一倍 ●本征半导体的电导率不能控制 四、杂质半导体载流子浓度和费米能级 带电粒子有： 电子、空穴、电离的施主和电离的受主 电中性条件（平衡条件下）： p - n - NA－ + ND+ =0 假设参杂原子全部电离，上式变为： p - n - NA + ND =0 由np乘积关系可得 解得 讨