中北大学模拟电子要点分析.ppt

五、价电子的能带图 (1)硅和锗的本征载流子浓度的差异是因激活能不同所致。 (2)从而看出本征载流子浓度随温度上升而迅速增大。 (3)必须强调指出，ni（pi）的数值虽然很大，但它仅占原子密度很小的百分数。例如，室温时，硅的原子密度为4.96×1022/cm3，因此，ni（pi）仅为它的三万亿分之一。 1、串联限幅电路 A、工作原理 （1） RL不变，UI变化 UI若增大，要求UO不变，只能使I增大，而I=IZ+IO， IO不能变化，只能使IZ增大，根据稳压管的特性，IZ 增大，UZ变化很小，可满足要求。 （2） UI 不变， RL 变化 UI 不变， RL 变大，只能使IO变小，才能保证UO不 变，要保证UO不变，则I不变，而IZ=I-IO必然变大， IZ变化很大，UZ基本不变，稳压管可以满足这一要 求。 B、限流电阻的选择 3双极型晶体管中的电流控制作用 以NPN型晶体管为例。 (1)、两个PN结均无外加电压 两个PN结的载流子运动处于动态平衡状态，净电流为零。 由于 , 都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由 , 的定义可得 ? ? 6 晶体管的放大作用 现在用图1–3来说明在共基接法下晶体管的放大作用。若在图中VEE上叠加一幅度为20mV的正弦电压Δui，则正向发射结电压会引起相应的变化。由于e结正向电流与所加电压呈指数关系，所以发射极会产生一个较大的注入电流ΔiE，例如为1mA，而IC= IE，（ 当 =0.98时，IC=0.98mA）， 现在用图1–4来说明共射接法下晶体管的放大作用。若在图中UBB上叠加一幅度为100mV的正弦电压Δui，则正向发射结电压会引起相应的变化。由于e结正向电流与所加电压呈指数关系，所以发射极会产生一个较大的注入电流ΔiB， 结论：共基只是电压得到了放大，且输入电压与输出电压同向； 共射不但电压得到了放大，电流也得到了放大，且输出电压与输入电压反向。 二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 实现电路: 图2-2 两个PN结均无外加电压 (2)、发射结加正向电压，集电结加反向电压 先看发射结的情况 结果： 再看集电结的情况 结果： 结论：由e区发射出的电子数（对应于IE）中，只有极少部分有机会在b区与空穴复合（对应于IB’），而其中绝大部分的电子将被反向偏置的集电结的电场吸引（或收集）而到达集电区（对应于ICN）。这三者之间的关系为： (3)、电流控制作用及其实现条件 再一个结构尺寸和掺杂浓度已定的晶体管中，在正常工作条件下，最终被c区收集的电子数在e区发射的总电子数中所占的比例是一定的。用 表示这个比例。 或 因此有： 定义： 讨论： 1） 总是小于1，但由于晶体管结构上的保证， 又非常接近于1，一般可达0.95~0.995； 2）与 对应的 值为19~199，换言之，ICN比IB’大很多倍。 结论：由于电流之间存在一定的比例关系，因此，可实现电流的控制和放大作用，改变IE可以改变ICN，只要稍稍改变IB’，就可以使ICN有很大的变化。 实现电流控制和放大作用的条件： 1.“内因”：三个浓度不同的掺杂区； 2.“外因”：外加直流电源的极性必须保证： 1）发射结（ e 结）正偏。 对NPN型管，UBE0，使e区向b区注入大量多子电子。 对PNP型管，UBE0，使e区向b区注入大量多子空穴。 2）集电结 （c结）反偏。对NPN型管，UBC0，使c区能够收集来自e区的大部分多子。C结的反向偏置电压越小，这时IE中的ICN减小而IB’增大，即 和 减小，当UCB=0时，晶体管的电流控制和放大作用就很小了。 强调一下：有兴趣的同学可以试一下，e结和c结均反偏会出现什么情况？ 再来看一下发射结正偏,集电结反偏时载流子的传输过程 4. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB IBN ? IB + ICBO 即： IB = IB