微波有源电路复习要点分析.ppt

微波有源电路复习 * 1、从伏安特性、结电容和串联电阻三方面说明肖特基势垒二极管与PN结二极管的不同。 2、变容管、三端器件倍频器和二极管倍频器有何区别 。 3、90゜平衡电桥混频器和180゜平衡电桥混频器有何异同 4、变容管倍频器中空闲回路的作用。 5、变容二极管及阶跃恢复二极管有何异同 6、负阻二极管怎样产生负阻的 7、串联振荡回路起振条件和平衡条件 8、微波单刀单掷开关的原理 9、π型电阻衰减器的原理 单管混频器 单平衡混频器 180°相移型平衡混频器 转换功率增益GT 单向化转换功率增益为 绝对稳定的充要条件为： n级二端口网络的总噪声系数为 小信号微波晶体管放大器设计 设计目标：在一定的中心频率及频带范围内设计输入、输出匹配网络，使其满足一定的增益、噪声系数、输入/输出驻波比等要求 高增益设计——输入输出双共轭匹配 低噪声设计——输入最佳噪声匹配+输出共轭匹配 ??小信号微波晶体管放大器设计步骤 （１）选择管子的直流工作点确定Ｓ参数、Гopt、Rn等 （２）计算稳定系数确保K≥1 （３）计算设计所需的源和负载反射系数 （4）计算单级最大资用功率增益确定放大器级数 （5）设计输入匹配网络 （6）设计输出匹配网络 （7）设计级间匹配网络 单向化设计 ??当S12≈0，单向化转换功率增益GTu为 ?? GS和GL是与输入、输出匹配网络有关的增益分量，G0是晶体管的插入增益。 最大单向转换功率增益为 ??实际上晶体管仍是双向器件，得到的增益仍是GT ??∣x∣定义为单向优质比u（单向化优质因数）。 因此单向化设计时产生一定的误差，误差范围为 ??双向潜在不稳定晶体管实际功率与资用功率增益圆也可以如上所述求出。 此时： （1）源阻抗和负载阻抗点的选择既要在稳定区域内，又要能提供所期望的增益； （2）对应的输入、输出反射系数的共轭点（代表了源和负载的反射系数）也必须在稳定区域内； 设计方法：把实际功率与资用功率等增益圆与晶体管的稳定判别圆一起画在Smith圆图上进行选择 潜在不稳定情况 1.列举几种常用的平面传输线（） 2.微带线主要传输的模式是（），带线的传输主模是（） 3.微带线最高工作频率的影响因素有（）（列举四个即可） 4.定向耦合器常用表征参量有（） 1.简述MMIC技术的优点 第二章自测题 填空题 1.晶体管器件可分为（） 2.用数学式子表示放大器绝对稳定的条件（） 3.功率合成技术中的电路合成包含（）两种方式 4.低噪声双极晶体管的两个重要的电参数是（） 第三章自测题 5.双极晶体管的噪声来源有（） 6.微波晶体管放大器的增益包含（）三种 7.描述功率放大器特性的参量有（） 8.列举三种功率合成技术（） 9.晶体管噪声系是指晶体管输入端（）与输出端（）的比值 10.功率双极晶体管常用的输出功率有（）三种 简答题 1.简述甲、乙、丙三类放大器的工作状态及特点 2. 分别解释什么是转换功率增益、资用功率增益、实际功率增益 1.混频器的变频损耗为（） 2.检波器的主要技术指标（） 3.混频器的噪声系数包含（）三种 4.二极管作为混频器使用时的主要参数有（） 第四章自测题 5.混频器的指标有（） 6.检波器常用的类型有（） 7.单管混频器的设计，至少要解决的四个问题是（） 8.射频反相型平衡混频器的输出电流中，被抵消的是（）的组合频率成分 9.双平衡混频器的特点有（） 1.说出90°平衡混频器的三个优点。 2. 简述双平衡混频器的特点。 3.环形电桥结构的优缺点与分支电桥相比有哪些？ 填空题 1.电阻性倍频器的优点有（） 2.变容管倍频器的基本电路有（） 3.衡量倍频器特性的主要技术指标有（） 4.倍频器噪声的主要来源（） 5.表征变容二极管性能的静态参数有（） 6.微波晶体管倍频器与二极管倍频器相比的优点有（） 7.场效应管中产生谐波的非线性作用主要有（） 第五章 自测题 1.简述变容二极管的分类及其依据 1.晶体三极管振荡器与二极管振荡器相比，所具有的特点（） 2.分频锁相式晶体振荡器的优点（） 第六章 自测题 3. 负阻振荡器模型的起振条件（）负阻振荡器模型平衡条件（） 4. 雪崩二极管的主要电参数有（） 5. 振荡晶体管的主要微波电参数有（） 6. 负阻振荡器的设计包括（） 7.提高频率稳定度措施有（） 8.外腔稳频振荡电路的常用形式有（） 9.雪崩管的噪声来源主要有（）三方面 1.微波电压控制移相器的基本要求有（） 2.移相器的技术指标有（） 3.移相器的基本要求有（） 4. 衰减器的主要技术指标（） 第七章自测题 1.一个PIN二极管参数如下：Ls=5nH，RS=5 ，Cp=0.05pF，Rf=0（正向），Cj=0.2pF，Rr=10 （反向） 如果该PIN二极管是串联在50 的微