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（*） 2.2.3 其他CMOS逻辑门 .2 CMOS与或非门 （*） 2.2.3 其他CMOS逻辑门 .2 CMOS或与非门 （*） 2.2.3 其他CMOS逻辑门 .2 异或门 （*） 2.2.3 其他CMOS逻辑门 .2 同或门（异或非门） 12个晶体管 10个晶体管 （*） 2.2.3 其他CMOS逻辑门 .2 CMOS传输门 为什么PMOS位于逻辑电路的上部，NMOS位于逻辑电路的下部，想过吗？ NMOS传输门和PMOS传输门 （*） 2.2.3 其他CMOS逻辑门 .2 三态门 相同的资源，有什么优点？ （*） Z = （A ·（B · C+E）+D · F）·（G+H） （*） Z = （A ·（B · C+E）+D · F）·（G+H） 设计分析举例： .2 （*） 2.2.4 D触发器 .2 （*） 2.2.5 内部信号的分布式驱动结构 .2 （*） 2.3 MOS集成电路工艺基础 基本的集成电路加工工艺 CMOS工艺简化流程 Bi-CMOS工艺技术 .3 （*） 2.3.1 基本的集成电路加工工艺 .3 器件制造基本问题 掩膜板（MASKS） 图形转移技术 掺杂技术 氧化及热处理技术 气相沉积技术 （*） 2.3.1 基本的集成电路加工工艺器件制造基本问题 .3 器件和电路 选择 掺杂 互连 图形（版图） 窗口和屏蔽 掺杂 图形（版图） 导线 绝缘 图形转移 （光刻） 材料沉积 掺杂技术 氧化及热处理 （*） 2.3.1 基本的集成电路加工工艺掩膜板（MASKS） .3 设计（软） “底片”（硬） 单个电路图形 多个电路图形 （*） 2.3.1 基本的集成电路加工工艺图形转移技术 .3 两次图形转移技术 一次图形转移—光刻 二次图形转移—刻蚀 一次图形转移—电子束直写 （*） 2.3.1 基本的集成电路加工工艺掺杂技术 .3 热扩散 离子注入 （*） 2.3.1 基本的集成电路加工工艺氧化及热处理技术 .3 常规热处理 快速热处理 （*） 2.3.1 基本的集成电路加工工艺气相沉积技术 .3 LPCVD PECVD 电子束蒸发 离子溅射 PVD （*） 2.3.2 CMOS工艺简化流程 .3 简单回顾: 逻辑电路晶体管尺寸设计基本方法及关键问题 设计不唯一性 工艺基本目标及实现目标的基本技术 （*） .3 （*） .3 （*） 2.3.3 Bi-CMOS工艺技术 以P阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS工艺 以N阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS工艺 .3 （*） 2.4 版图设计 简单MOSFET版图 大尺寸MOSFET的版图设计 .4 （*） 2.4.1 简单MOSFET版图 .4 直栅 围栅 折弯栅 套准关系 （*） 2.4.2 大尺寸MOSFET的版图设计 .4 共用掺杂区：源共用、漏共用、源漏共用 （*） 2.4.2 大尺寸MOSFET的版图设计 .4 （*） 2.4.2 大尺寸MOSFET的版图设计 .4 （*） 在本章描述了哪些问题 如何体会规律（创造性思维基础）： 器件，从PN结到各类半导体器件构造，挑战与技术应对方法。 PN结、双极型晶体管、JFET、MOSFET、FINFET等。 逻辑，从标准逻辑到组合逻辑构造，与-或关系体，单输出逻辑的等效倒相器设计技术。 工艺，基本方法了解。 版图，从简单到复杂，器件复合对资源利用的贡献，分布参数的优化。 MOS新技术、新材料、新结构 VLSI设计基础-2 东南大学电子科学与工程学院 VLSI设计基础-2 东南大学电子科学与工程学院 VLSI设计基础-2 东南大学电子科学与工程学院 VLSI设计基础 第2章 MOS器件与工艺基础 （2010-2010） （*） 本章概要： MOS晶体管基础 CMOS逻辑部件 MOS集成电路工艺基础 版图设计 （*） 2.1 MOS晶体管基础 MOS晶体管结构及基本工作原理 MOS晶体管的阈值电压VT MOS晶体管的电流-电压特性 调到第8章介绍 MOS晶体管主要电参量 CMOS结构 .1 （*） 2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理 .1 （*） 2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理 .1 D S V + - 工作条件：VDS很小时 如果不是很小怎么样？ VTN:阈值电压 （*） 2.1.1 MOS晶体管结构及基本工作原理 .1 D S V + - D