杨晓玲(光刻工艺)分析报告.ppt

对光刻胶的要求 高分辨率 高抗蚀性 好黏附性 更宽的工艺容差 分辨率 对比度 敏感度 粘滞性 黏附性 抗蚀性 表面张力 沾污和颗粒 光刻胶的物理特性 在芯片制造工艺中，可能会用到许多类型的光刻胶。每一种都应该具备其与光刻工艺要求直接相关的自身物理特性。 单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量或最小电荷量（对电子束胶），称为光刻胶的灵敏度，记为 S ，也就是前面提到过的 D100 。S 越小，则灵敏度越高。 通常负胶的灵敏度高于正胶。 灵敏度太低会影响生产效率，所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。 灵敏度 分辨率 通常正胶的分辨率要高于负胶。 硅片上形成符合质量规范要求的最小特征图形的能力，形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率能力就越高。 分辨率 为保证出现最低剂量时不少于规定剂量的90%，也即 由此可得 。因此对于小尺寸曝光区，必须满足 下面讨论分辨率与灵敏度的关系。当入射电子数为 N 时， 由于随机涨落，实际入射的电子数在 范围内。 式中，Lmin 为最小尺寸，即分辨率。可见，若灵敏度越高（即 S 越小），则 Lmin 就越大，分辨率就越差。 是指光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度 对比度 对比度是图中对数坐标下对比度曲线的斜率，表示光刻胶区分掩模上亮区和暗区的能力的大小，即对剂量变化的敏感程度。灵敏度曲线越陡，D0 与 D100 的间距就越小，则 就越大，这样有助于得到清晰的图形轮廓和高的分辨率。一般光刻胶的对比度在 0.9 ~ 2.0 之间。对于亚微米图形，要求对比度大于 1。 通常正胶的对比度要高于负胶。 D0 D100 表面张力 指的是液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间的吸引力。 表面张力 是指对于液体光刻胶来说其流动特性的定量指标。粘滞性越高流动性越差。粘滞性越高越有利于台阶覆盖，但间隙填充能力就越差。 是指光刻胶附着于衬底的强度。粘附性的不足会导致硅片表面上的图形变形。要求必须经受曝光、显影和刻蚀等工艺的考验。 光刻胶在后续的湿法刻蚀和干法刻蚀中必须有效保护光刻胶下的衬底表面不受刻蚀的影响。这种性质称为光刻胶的抗蚀性。 粘滞性 粘附性 抗蚀性 DQN正胶的典型反应 目前，常用的正胶DQN是由感光剂DQ和基体材料N组成。它适合于436nm的g 线和365nm的i 线曝光，不能用于极短波长的曝光。 基体材料N是酚醛树脂，它是一种聚合物，单体是一个带有两个甲基和一个OH的芳香环烃组成。酚醛树脂易于溶解在含水溶液中。 正胶的基体材料：甲氧基酚醛树脂 DQN正胶的典型反应 正胶的溶剂通常是芳香烃化合物的组合，如二甲苯和各种醋酸盐。 正胶的感光剂（PAC）是重氮醌（DQ）。它作为抑制剂，以十倍或更大的倍数降低光刻胶在显影液中的溶解速度。 正胶的感光剂：重氮醌（DQ） 正胶的感光反应 曝光后，UV光子使氮分子脱离碳环，留下一个高活性的碳位。为使结构稳定，环内的一个碳原子将移到环外，氧原子将与它形成共价键，实现重组，成为乙烯酮。 在有水的情况下，环与外部碳原子间的双化学键被一个单键和一个OH基替代，最终形成羟酸。 羟酸易于溶解在显影液中，直到曝过光的正胶全部去除，而未曝光的正胶则全部保留。 负胶的成分和感光反应 负胶为包含聚乙烯肉桂衍生物或环化橡胶衍生物双键的聚合物。典型的负胶是叠氮感光胶，如环化聚异戊二烯。 在负胶曝光时，产生大量的交联聚合，成为互相连接的大树脂分子，很难在显影液中溶解。从而负胶的曝光部分在显影后保留。而未曝光部分则在显影时去除。 谢 谢! 对照P135页解释 Optical Navigation Division Advanced Wireless Semiconductor Division Advance Wireless Semiconductor Division HunterSun Electronics Co., Ltd. Confidential and Proprietary 光刻工艺 杨晓玲 2014年12月11日 HMDS工艺及其处理系统 光刻工艺在半导体制造过程中是至关重要的一个工艺环节， 黏附性是光刻胶的一个重要表现要素，描述了光刻胶黏附于衬底的强