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主要内容与重、难点 主要内容: 半导体三极管(BJT)的结构、工作原理、特性曲线和主要参数 BJT放大电路的分析方法:图解法和小信号模型法 BJT放大电路的三种组态及其特点 重点: BJT电压放大电路、分析方法、主要技术指标(AV、Ri、Ro、BW) 难点: BJT放大电路的静态、动态分析与计算 三极管的电流分配关系 BJT特性曲线的获得 ? 三极管的参数是用来表征其性能和适用范围的,也是评价三极管质量以及选择三极管的依据。常用的主要参数有: 1)电流放大系数 β 2)反向饱和电流ICBO 3)穿透电流ICEO 4)集电极最大允许电流ICM 5)集电极—发射极间的击穿电压U(BR)CEO 6) 集电极最大耗散功率PCM 一、电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 和交流电流放大系数β 和β分别由式(3.1.5)、(3.1.6)定义,其数值可以从输出特性曲线上求出。 2. 共基极直流电流放大系数 和交流电流放大系数 由式(3.1.7)定义,而 定义为,uCB为常数时,集电极电流变化量ΔIC与发射极电流变化量ΔIE之比,即 由于ICBO、ICEO都很小,在数值上β≈ ,α≈ 。所以在以后的计算中,不再加以区分。 应当指出,β值与测量条件有关。一般来说,在iC很大或很小时,β值较小。只有在iC不大、不小的中间值范围内,β值才比较大,且基本不随iC而变化。因此,在查手册时应注意β值的测试条件。尤其是大功率管更应强调这一点。 二、极间反向电流 1. ICBO ICBO指发射极开路时,集电极—基极间的反向电流,称为集电极反向饱和电流。 2. ICEO ICEO指基极开路时,集电极—发射极间的反向电流,称为集电极穿透电流。 3. IEBO IEBO指集电极开路时,发射极—基极间的反向电流。 三、晶体管的极限参数 1. 反向击穿电压 U(BR)CBO指发射极开路时,集电极—基极间的反向击穿电压。 U(BR)CEO指基极开路时,集电极—发射极间的反向击穿电压。U(BR)CEOU(BR)CBO。 U(BR)EBO指集电极开路时,发射极—基极间的反向击穿电压。普通晶体管该电压值比较小,只有几伏。 2 .集电极最大允许电流ICM β与iC的大小有关,随着iC的增大,β值会减小。 ICM一般指β下降到正常值的2/3时所对应的集电极电流。当iC ICM时,虽然管子不致于损坏,但β值已经明显减小。因此,晶体管线性运用时, iC不应超过ICM 。 3 .集电极最大允许耗散功率PCM 集电极最大耗散功率是指三极管正常工作时最大允许消耗的功率。 晶体管工作在放大状态时,c结承受着较高的反向电压,同时流过较大的电流。因此,在c结上要消耗一定的功率,从而导致c结发热,结温升高。当结温过高时,管子的性能下降,甚至会烧坏管子,因此需要规定一个功耗限额。 小练习:根据参数选择管子 Answer:应选用β=100,ICEO=10μA的管子。因为β值适中, ICEO小,温度稳定性好。 七、 三极管的判别及手册的查阅方法 ? 三极管的型号一般由五大部分组成,如3AX31A、3DG12B、3CG14G等。下面以3DG110B为例说明各部分的命名含义。 (1)第一部分由数字组成,表示电极数。“3”代表三极管。 (2)第二部分由字母组成,表示三极管的材料与类型。如A表示PNP型锗管,B表示NPN型锗管,C表示PNP型硅管,D表示NPN型硅管。 (3)第三部分由字母组成,表示管子的类型,即表明管子的功能 。 (4)第四部分由数字组成,表示三极管的序号。 (5) 第五部分由字母组成,表示三极管的规格号。 1)三极管手册的基本内容 (1)三极管的型号; (2)电参数符号说明;
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