02微电子工艺基础半导体材料和晶圆制备解读.pptVIP

第2章 半导体材料和晶圆制备 一、半导体材料 抛光 →检验 →氧化或外延工艺→打包封装 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 工艺的突飞猛进 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 工艺的突飞猛进 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 工艺的突飞猛进 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 工艺的突飞猛进 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 2、晶圆制备（2）晶体生长 ⑥掺杂 直拉法掺杂是直接在坩埚内加入含杂质元素的物质。 掺杂元素的选择 掺杂方式 杂质分布 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 2、晶圆制备（2）晶体生长 ⑥掺杂 杂质类型的选择 A：掺杂元素的选择 硼、磷 P-型掺杂、N型掺杂 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 2、晶圆制备（2）晶体生长 ⑥掺杂 液相掺杂 直接掺元素 母合金掺杂 气相掺杂 中子辐照（NTD）掺杂—中子嬗变掺杂技术。 B：掺杂方式 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 2、晶圆制备（2）晶体生长 ⑥掺杂 将杂质元素先制成硅的合金（如硅锑合金，硅硼合金），再按所需的计量掺入合金。 这种方法适于制备一般浓度的掺杂。 B2：母合金掺杂 B1：直接掺杂 在晶体生长时，将一定量的杂质原子加入熔融液中，以获得所需的掺杂浓度 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 2、晶圆制备（2）晶体生长 ⑥掺杂 硅有三种同位素：28Si 92.2% , 29Si 4.7% ,30Si 3.0%，其中30Si有中子嬗变现象： 30Si 31Si+α 31Si 31P+β 31P是稳定的施主杂质，对单晶棒进行中子辐照，就能获得均匀的n型硅。 B2：中子辐照（NTD）掺杂 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 C、掺杂分布 由于晶体是从熔融液中拉出来的，混合在单晶（固体）中的掺杂浓度和在 固体-液体界面处的熔融液（液体）中是不同的。 当晶体生长时，所掺杂的杂质会持续不断地被排斥而留在熔融液中。如果排斥率比掺杂扩散或搅动而产生的传送速率高时，在界面处就会有浓度梯度产生。 分凝系数 平衡分凝系数 有效分凝系数 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 平衡分凝系数 其中： 和 分别是固体和液体界面附近的平衡掺杂浓度。 绝大多数平衡分凝系数都小于1。说明随着晶体的生长，熔融液中的掺杂浓度会越来越高 C、掺杂分布 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 平衡分凝系数 假设从一熔融液中生长晶体，熔融液的初始重量为M0，其初始掺杂浓度为C0（每克熔融液 所掺杂的重量）。在生长过程中，假设已生长成晶体的重量为M，依然留在熔融液中的掺杂数量 （以重量表示）为S 。当晶体增加dM 的重量，对应熔融液中所减少的掺杂重量（-dS）为 此时熔融液中所剩重量为M0-M，熔融液中掺杂浓度（以重量表示）为 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 将 代入得 若初始掺杂重量为C0M0，我们可以对上式积分： 解方程得： 在晶体生长过程中，晶体中初始的掺杂浓度为k0C0,如果k01，掺杂浓度将会持续增加；当k01时，掺杂浓度将会持续减少；当k0≈1时，可以获得均匀的掺杂浓度分布。 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 例题：一个用直拉法所生长的硅锭，应在熔融液中掺入多少硼原子，才能使其每 立方厘米包含1016个硼原子？假设开始在坩埚里有60kg的硅，若要达到上述掺杂 浓度应该加入多少克硼（硼的摩尔质量为10.8g）？已知熔融硅的密度为2.53g/cm3, 掺硼时的平衡分凝系数k0=0.8 解：假设在整个晶体生长过程中 则硼原子在熔融硅中的初始浓度为 因为硼原子的浓度是如此之小，所以加料后熔融液的体积可用硅的重量来计算， 因此，60kg熔融液的体积为 则硼原子在熔融液中的总数为 所以需掺硼的重量为 * 第2章 半导体材料和晶圆制备  二、晶圆制备 有效分凝系数ke 浓度梯度产生与熔融液中掺杂的扩散系数D，和单晶生长速率γ有关，因此，要想使晶锭获得均匀的掺杂分布，可通过较高的拉晶速率和较低的旋转速率而得到（也就是使ke 0）。 另一种方法是单晶