半导体二极管及其应用资料.ppt

* * 第9章 半导体二极管及其应用 9.1　半导体二极管 9.2　稳压二极管 9.3　特殊二极管简介 　　　　　　　9.1 半导体二极管　　1. 半导体二极管的结构和符号　　半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如硅、锗等。纯净的半导体又称为本征半导体，其原子排列整齐有序，呈晶体结构。半导体材料有几个重要性质，如热敏特性、光敏特性和掺杂特性。掺杂特性是指在半导体中掺入微量元素后，其导电能力大为提高, 且在本征半导体中掺入不同的微量元素后, 就会得到不同性质的半导体材料。例如, 在本征半导体硅中掺入微量磷元素，就会形成电子型半导体, 又称为N型半导体；掺入微量硼元素，就会形成空穴型半导体, 又称为P型半导体。把N型半导体和P型半导体结合在一起，其界面处就形成了PN结。PN结是构成各种半导体器件的基础。将PN结装上电极引线和管壳，就是半导体二极管，又称晶体二极管，简称二极管，其结构和符号如图9.1所示。 图9.1 二极管的结构和符号 (a) 结构示意图； (b) 符号 　　2. 半导体二极管的单向导电性　　二极管最为重要的特性是其单向导电性，即加正向电压(也叫正偏电压)导通，如图 9.2(a) 所示，二极管的阳极接电源正极，阴极接电源负极，此时灯亮；加反向电压(也叫反偏电压)截止，如图9.2(b)所示，二极管的阴极接电源正极，阳极接电源负极，此时灯不亮。 图9.2 二极管的单向导电性 (a) 正偏导通； (b) 反偏截止 　　3. 半导体二极管的伏安特性　　二极管的伏安特性是指二极管通过的电流与其端电压之间的关系，如图9.3所示。 图9.3 硅二极管的伏安特性 　　4. 半导体二极管的主要参数　　(1) 最大整流电流IF。它是二极管允许长期通过的最大正向平均电流。有些IF较大的二极管必须按规定加装散热片，否则可能因过热而烧坏。　　(2) 最高反向工作电压URM。它是二极管工作时允许承受的最大反向工作电压，实际使用时其反向工作电压不要超过URM，以免造成二极管反向击穿而损坏。　　(3) 最高工作频率fM。超过fM，二极管将失去单向导电性。　　此外，还有反向电流、正向电压等参数。 　　5. 二极管的应用 　利用二极管的单向导电性，可实现整流、限幅等功能。　　1) 二极管整流电路　　二极管最基本的应用是整流，即把交流电转换成脉动的直流电。图9.4(a)所示为二极管半波整流电路。若忽略二极管的死区电压和反向饱和电流，则可把二极管看成理想二极管，即把二极管作为一个开关，当输入电压为正半周时，二极管导通(相当于开关闭合)，uo=ui；当输入电压为负半周时，二极管截止(相当于开关打开)，uo=0。其输入、输出电压波形如图9.4(b)所示。 图9.4 二极管半波整流电路 (a) 电路；(b) 输入、输出电压波形 　　2) 二极管限幅电路　　限幅电路也称为削波电路，它是一种能把输入电压的变化加以限制的电路，常用于波形变换和整形， 如图9.5(a)所示。设ui=5 sinωtV，E=2 V，VD为理想二极管。当uiE时，二极管导通， uo=E=2 V；当uiE时，二极管截止，电阻R中没有电流，uo=ui。输入、输出电压波形如图9.5(b)所示， 显然该电路把输出电压的正峰值限制为2 V。 图9.5 二极管限幅电路 (a) 电路； (b) 输入、输出电压波形 　　　　　　　9.2 稳 压 二 极 管　　1. 稳压二极管的伏安特性　　稳压二极管实际上也是一种面接触型硅二极管，简称稳压管，其伏安特性及符号如图9.6所示。　　从图中可看出，稳压管的伏安特性与普通二极管相似，但稳压管工作在反向击穿状态，即对应于特性曲线的AB段，称为击穿区。稳压管中的PN结经过了特殊处理，即使长时间工作在击穿区也不会损坏，一旦除去外加反向电压，PN结仍能恢复原状。特性曲线AB段的特征是：当电流有较大变化时, 稳压管两端的电压变化却很小, 这一特性可用于稳压。 图9.6 稳压二极管的伏安特性及符号 (a) 伏安特性； (b) 符号 　　2. 稳压管的主要参数　　(1) 稳定电压UZ。UZ指稳压管正常工作时(反向击穿状态)管子的端电压，一般为3 V~25 V，高的可达200 V。　　(2) 稳定电流IZ和IZmax。IZ指稳压管正常工作时的电流，IZmax指稳压管允许通过的最大反向电流。　　(3) 额定功耗PZ。PZ指保证稳压管安全工作所允许的最大功率损耗，且　　　　　　　　　　PZ=UZIZmax 图9.7 稳压管稳压电路 　　3. 稳压管的应用　　稳压管主要用于构成稳压电路，如图9.7所示。　　1) 工作原理　　稳压电路的