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* ＊同一半导体材料衬底上形成一系列彼此非常靠 近的MOS电容器。（此处用p型半导体材料） ＊在p型硅衬底上生长一层均匀、连续的SiO2层 （120nm），在SiO2层 上依次沉积排列互相绝 缘且距离极小的金属电极（Al）。 2. CCD的结构 由金属—氧化物—半导体电容式转移器件形成 CCD基本结构包括转移电极、转移沟道、信号输入、输出、信号检测结构。 一个CCD单元相当于一个电容器，可以存储电荷包。若在其上施加一定方式的电压，将电荷包实现定向地由一个单元向下一个单元转移，因而信息得到传输。 ＊ 转移电极结构 作用：实现电极下电荷有控制的定向转移 CCD的转移电极相数有：二相、三相、四相CCD 三相CCD：对单层金属化电极结构，为保证电荷的定向转移驱动脉冲至少需要三相，采用三相CCD比较方便。 三相——指在线阵列的每一级（像素）有三个金 属电极，在其上依次施加三个相位不同 的时钟脉冲电压。 二相CCD驱动脉冲较简单，在相同的时钟频率下信号电荷转移一位需要的时间较短，布线简单，但是容纳的信号电荷量小。 四相CCD时钟驱动脉冲电路复杂，较适应时钟频率很高的场合。 ＊ 转移沟道结构 在栅极、源极之间，加上一个栅极比源极为正的电压，可视栅极与之相对应的P型衬底为电容器的一对板极（ SiO2绝缘层为介质）： 在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷，它们有可能和源、漏极的N型区连接形成导电沟道。 若栅极加的电压比较低，感应出的少量负电荷将被P型衬底中的空穴所俘获。 若VGS超过某临界值，在强电场作用下有足够的负电荷把两个分离的N区沟通。 ＊CCD电荷注入的方法 光注入法（对摄像器件） 电注入法（对移位寄存器） 热注入法（对热像器件） ＊CCD输出结构 将CCD传输和处理的信号电荷变换为电流或电压信号输出。 三、CCD的基本工作原理 CCD以电荷作为信号，它的基本功能是信号电荷的产生、存储和转移。 1. CCD的存储原理 当向SiO2上表面的电极加一正偏压时，P型衬底中形成耗尽区；较高的正偏压形成较深的耗尽区。通常把最深的耗尽区成为势阱。 势阱的形成： 当表面存在势阱时，如果有信号电子来到势阱及其附近，在电场力的作用下便聚焦在表面而落入势阱，形成电荷包，即势阱将电荷包存储起来。 电荷包的形成： MOS电容器的电荷储存容量可由下式求得：QS=Ci×VG×A式中： QS是电荷储存量；Ci是单位面积氧化层的电容 VG是外加偏置电压；A是MOS电容栅的面积 可见，光敏元面积越大，其光电灵敏度越高 随着电子进入势阱，耗尽区将减薄，称为电子填充势阱。 容纳电子的多少。取决于阱的“深”“浅”。即表面势的大小。而表面势随栅极电压值变化。 势阱的容量： 电子填充势阱： 2. 电荷转移原理 由于CCD的金属化电极彼此绝缘，且相隔距离极小，这就保证了相邻势阱耦合和电荷的转移。 三相CCD：对单层金属化电极结构，为保证电荷 的定向转移驱动脉冲至少需要三相， 采用三相CCD比较方便。 转移电极结构 三相——指在线阵列的每一级（像素）有三个金 属电极，在其上依次施加三个相位不同 的时钟脉冲电压。 电荷由一个栅极下面移动到相邻栅极下的过程 t=t1：φ1相高电压，在φ1相上的电极1、4、7…下存有信号电荷 t=t2：φ1相仍为高电压，φ2相的电压在升高，在φ2相上的2、5、8…电极下耗尽区加深 t=t5：仅φ2相为高电压，信号电荷全部转移到电极2、5、8…的耗尽区，完成信号电荷的移动 t=t4：φ1电压开始下降，电极1、4、7…下的耗尽区变浅，φ2相仍为高电压，使信号电荷向φ2相上的电极2、5、8…的耗尽区移动 t=t3：φ1、φ2相为高电压，电极1、2、4、5、7、8…下的耗尽区深度相同，原存储在1、 4、7…下的信号电荷可能在相邻耗尽区移动 三相彼此有一定位相差的时钟脉冲能使相邻电极下耗尽区在某些时刻相同，实现电荷的耦合，这是电荷耦合器件的主要特征 继续下去，就可以将信号电荷按事先设计的方向从一端移到另一端 类似地，到t=t9时刻，信号电荷全部移到φ3相电极3、6、9…对应的耗尽区 3. 光信号注入 当光照射到CCD硅片时，在栅极附近的耗尽区吸收光子产生电子—空穴对，这时在栅极电压的作用下，多数载流子（孔穴）将流入衬底，而少数载流子（电子）则被收集在势阱中，形成信号电荷，并被存