太阳能电池原理与设计_new资料.ppt

* UNSW新南威尔士大学 * 4.4.4顶端电极的设计发射区电阻 基于前面的表层电阻率，作为顶端电极栅的间距的函数且由发射区电阻造成的功率损失便可计算出来。然而，在发射区的电流流动的距离并不都是相等的。如果电流刚好从电池内部流到电极附近，则因此路程很短。但是如果电流流到两个栅条之间的话，则电阻路径刚好等于两个栅条距离的一半。 载流子从电池的产生点流到外部电极的理想效果图。需要注意的是，实际中的发射区要比图中的薄很多。 在y方向逐渐递增的功率损失为：dPloss=l2dR 其中dR=ρПdy/A 式中y是两个栅条之间的距离。如下图所示： 右图为计算由电池表层的横向电阻造成的功率损失时用到的数据。 * UNSW新南威尔士大学 * 4.4.4顶端电极的设计发射区电阻 表层横向电流的大小决定于y和I（y），在两栅条之间的中间点的大小为零，并沿着中间点到栅条的线逐渐增加。计算电流的方程为： I（y）=Jby J为电流强度，b为栅条的长度，而y是两栅条的间隔距离。 终上所述，在1/2单元电池中，顶层阻抗引起的功率损耗为： 式中S同样为两栅间距。 在最大功率输出点，这个区域内的功率为VmpJmpbs/2，则相对功率损耗为： * UNSW新南威尔士大学 * 4.4.5顶端电极的设计接触电阻 接触电阻损耗发生在硅电池与金属电极的交界处。要降低接触电阻的损耗，就必须对n型层的顶层进行重掺杂。然而，重掺杂水平也会引起不良后果。即如果高浓度的磷被扩散到硅中，当温度下降时，多余的磷会被析出电池表层，形成一层“死层”，在这层中光生载流子的收集几率非常低。许多商用电池因为死层的出现而导致对蓝光的响应很差。因此，解决的办法是，对金属电极的下面部分进行重掺杂，而表层的其余部分则需控制在一个平衡值，也就是在获得低发射区饱和电流和高发射区扩散长度之间达到平衡。 顶端金属电极 金属与硅界面的高接 触电阻 对界面重掺杂以减小接触电阻。 N型发射区 * UNSW新南威尔士大学 * 4.4.6顶端电极的设计金属网格的设计 顶端电极的优化设计不只有子栅和母栅电阻的最小化，还包括与顶端电阻有关的总的损耗的最小化，即包括发射区的电阻损耗、金属电极的电阻损耗和阴影损耗。一些设计的因素决定了损耗规模的大小，它们包括子栅和母栅的间距、金属的宽高横纵比、金属栅条的最小宽度以及金属的电阻率。如下图所示。 横纵比=高/宽 小的高宽横纵比 栅条的间距 大的高宽横纵比 发射区 栅间距对发射区电阻的影响 正如我们在发射区电阻一节所讲的那样，来自发射区的能量损耗大小取决于金属网格的间距，因此，短的栅间距有利于降低发射区电阻。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * UNSW新南威尔士大学 * 5.3.5硅晶片和衬底多晶硅 制备多晶硅的技术相对要简单一些，成本也因此比单晶硅更低一些。然而由于有晶界的存在，所以多晶硅材料的性能比不上单晶硅材料。晶界的存在导致了局部高复合区，因为它把额外的能级缺陷引入到了禁带中，也因此减少了总的少数载流子寿命。此外，晶界还通过阻碍载流子的流动以及为穿过pn结的电流提供分流路径的方式来降低太阳能电池的性能。 * UNSW新南威尔士大学 * 5.3.6硅晶片和衬底多晶硅 为了避免晶界处的过度复合损失，晶界尺寸必须控制在几毫米以上。这也能让电池从前到后扩大单个晶界的规模，减少对载流子流动的阻碍，同时也减小了电池单位面积上的总晶界长度。这种多晶硅材料被广泛使用在商业太阳能电池制造中。 在两个晶粒之间的挂键是很不友善的，它们能降低电池的性能。 多晶硅片 * UNSW新南威尔士大学 * 5.3.7硅晶片和衬底非晶硅 非晶硅（α-si），是一种结构中有许多不受价键束缚的原子、缺少长程有序排列，但是制造成本却比多晶硅还低的硅材料。原子排列中缺少长程有序结构是由于“悬挂键”的存在。缺少长程有序结构将严重非晶硅的材料性能。在把非晶硅材料制成太阳能电池之前，需要对这些悬挂键进行钝化处理。即把氢原子与非晶硅材料结合，使氢原子的比例达到5-10%，让悬挂键处于饱和状态，因此提高了材料的质量。 尽管如此，非晶硅的材料性能与那些晶体硅还是有显著的不同。例如，禁带宽度从晶体硅的1.1eV上升到了