chap光刻与刻蚀工艺资料.ppt

* * 在X射线曝光中影响分辨率的主要原因？ ①??? 当线宽小于20A时，衍射对分辨率的影响明显。 ②??? 当图形尺寸小于1μm而大于20A时，引起图 形即便和影响分辨率的主要因素是半阴影和几何畸变 在X射线曝光中对射线源的要求有？ ①??? X射线需要很高的辐射功率（要求功率大于0.1W/cmˇ2,这样才能使X射线曝光时间小于60秒）。 ②??? X射线源的尺寸小于1mm（X射线的尺寸直接影响到半阴影和几何形变） ③??? X射线的能量要求在1~10keV（这样可以使X射线对掩模跋衬底中的透光区有很好的透过率）。 ④??? 使用平行光源（X射线难以聚焦，光源发射的X射线决定了X射线到达硅片的形式）。 * X射线源有哪些？ ①??? X射线点光源：激光等离子体源和高密度等离子体源。 ②??? 同步辐射X射线源：利用高能电子在磁场中运动时发出的电子辐射，从辐射中引出特定波长范围的高强度、高准直性的X射线作为曝光。 为何波段选择在2-40?？ ①??? 因为大多数固体材料对波长小于2Α的射线都很少，如果是薄膜材料几乎是透明的，当X射线的波长大于40A时，大多数材料对X射线吸收又都很强，因而不能制成具有高反差的掩模版。 ②??? 目前没有理想的材料可以在膜厚比较厚时又能对X射线完全透明；同时也没有理想的材料在膜厚薄时又能完全吸收X射线。 * 8.9 电子束曝光 电子束曝光的原理：是利用具有一定能量的电子与光刻胶碰撞作用，发生化学反应完成曝光。 邻近效应：图形的畸变。 邻近效应是如何产生的？ 电子在光刻胶中会发生散射，而且电子一旦到达衬底与光刻胶层的交界面处，还会发生背散射。我们可以将散射氛围前向散射和背散射，前向散射方向与电子束入射方向的夹角θ很小，只导致曝光图形轻微展宽。背散射将使大面积的光刻胶层发生程度不同的曝光，最终使大面积的图形模糊，因此造成电子束曝光所形成的图形出现畸变。这种效应称为领近效应。 * 一、电子束曝光的特点： 电子束曝光的精度较高。电子束的斑点可以聚焦的很小，而且聚焦的景深很深，可用计算机控制，精度远比肉眼观察要高。 电子束曝光改变光刻图形十分简便。电子束曝光机是把各次曝光图形用计算机设计，改变图形就只要重新编程即可。 * 电子束曝光不要掩膜版。 电子束曝光设备复杂，成本较高。 应用于制造高精度掩模版，移相掩模和X射线掩模版的过程中。 * * 二、深紫外线曝光 “深紫外光”大致定义为180nm到330nm间的光谱能量。它进一步分为三个光带：200nm到260nm；260nm到285nm以及285nm到315nm。 * 几种实用的光刻胶配方。 PMMA对210nm到260nm的紫外光有感光性，感光性最佳的紫外光光谱约为220nm； PMIK的紫外光感光光谱为220nm到330nm，峰值光谱约为190nm和285nm。 * AZ240系列光刻胶的感光光谱为240nm到310nm，峰值光谱约为248nm、300nm、315nm。 ODVR系列光刻胶的感光光谱为200nm到315nm，峰值光谱为230nm、280nm、300nm。 * * 远紫外光作为曝光方法通常有两种：对准曝光和泛光曝光(不必对准)。 泛光曝光：该工艺又被称为“多层抗蚀剂技术”，它同时使用深紫外光和标准紫外光的抗蚀剂。深紫外光的抗蚀剂直接被甩到晶片上，填满所有的空隙，留下平坦的表面。然后在上面甩上第二层胶。(第二层胶一般为正胶)。 * 上面一层的抗蚀剂在步进光刻机用普通掩膜对准方式曝光，然后显影，这就会在深紫外光抗蚀剂上形成一层“共形”掩膜，所以不用再进行掩膜对准。然后带有共形掩膜的硅片在远紫外光下曝光，进一步处理，最后得到了分辨率相当高的线条和间隙结构图形。 * * 三、各种曝光方式的比较 * 纳米压印（Nanoimprint） 基于材料和工艺革新的“侧墙转移”技术（Sidewall/Spacer transfer lithography） X射线光刻技术（XRL） 离子束光刻技术（IBL） 无掩模光刻——电子束（Shaped Beam / Multi-Column / Multi-Beams） 无光源 其它可能的下一代光刻技术 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * * 1.负性胶由光产生交联 常用负胶有聚肉桂酸酯类、