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MH188KUA規格說明 MH188 Serial Flux Density Bop: 5 ~ 25 Gauss Brp:-25 ~ -5 Gauss Bhys: 30 Gauss Absolute Maximum Ratings Supply voltage:3 ~ 24V(30Vmax) Output Voltage:30V Reverse voltage: -30V Output current:50mA Electro-Static Discharge:4KVmin(HMB) 規格比較 Specification comparison Supply Voltage MST (MH188) Melexis (US2881) AKE (EW512) Honeywell (SS40AF) 規格 3 ~ 24 V 3.5 ~ 24V 4.5 ~ 18 V 4.5 ~ 24 V 優劣 優 佳 差 尚可 原因 寬的操作電壓範圍 勝 Specification comparison Reverse voltage MST (MH188) Melexis (US2881) AKE (EW512) Honeywell (SS40AF) 規格 -30V -0.3V -0.3V -30V 優劣 優 差 差 優 原因 內建逆向二極體,可防止逆向突波 勝 勝 Specification comparison Supply Current MST (MH188) Melexis (US2881) AKE (EW512) Honeywell (SS40AF) 規格 5mA 5mA 8mA 10mA 優劣 優 優 尚可 差 原因 耗電量(越小越好) 勝 勝 Specification comparison Output current MST (MH188) Melexis (US2881) AKE (EW512) Honeywell (SS40AF) 規格 50mA 50mA 15mA 20mA 優劣 優 優 差 尚可 原因 推動能力(越大越好) 勝 勝 Specification comparison Output voltage (ON) MST (MH188) Melexis (US2881) AKE (EW512) Honeywell (SS40AF) 規格 400m V 500mV 400mV 400mV 優劣 優 尚可 優 優 原因 影響耗功率(越小越好) ,但須看其推動能力 勝 勝 勝 Specification comparison Output Leakage Current MST (MH188) Melexis (US2881) AKE (EW512) Honeywell (SS40AF) 規格 10uA 10uA -- 10uA 優劣 -- -- 無提供保證 -- 原因 漏電量(越小越好) 平手 Specification comparison Flux Density MST (MH188) Melexis (US2881) AKE (EW512) Honeywell (SS40AF) 規格 ~±25G ~±60G ~±60G ~±150G 優劣 優 可能同相 尚可 差 原因 感應強度(越小越好) 勝 Specification comparison Response Time MST (MH188) Melexis (US2881) AKE (EW512) Honeywell (SS40AF) 規格 0.45us 0.45us 0.25us 0.25us -- -- 1.5us 1.5us 優劣 佳 優 無提供保證 差 原因 反應時間(越小越好) 勝 MH188 US2881 EW512 SS40AF 感應原材料 Silicon Silicon Silicon Silicon 製程工藝 DMOS CMOS Bipolar Bipolar 內部結構 單晶矽 單晶矽 單晶矽 單晶矽 工作電壓 3.0~24V 3.5~24V 4.5~18V 4.5~24V 最大耐壓 30V 28V 18V 30V 工作電流(max) 5mA 5mA 8mA 10mA 輸出電流 50mA 50mA 15mA 20mA 工作溫度 -40~+125℃ -40~+150℃ -30~+115℃ -40~+150℃ 儲存溫度 -65~+150℃ -50~+150℃ -40~+125℃ -40~+150℃ 工作溫度特性 高溫靈敏度不變 高溫工作點偏移 高溫工作點偏移 高溫工作點偏移 動作點(BOP) +5 ~ +25G
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