低频第一章摘要.ppt

低频电子线路 主讲人 刘雪芳 陈梅 课程简介 专业基础课 40学时（低频）+20学时（高频） 由易到难：元器件、分立电路、集成电路、应用电路 先修课程：高等数学、普通物理、电路理论 课程要求 了解：熟知基本概念和基本原理 理解：概念清楚，原理明白，并具有分析和计算能力。 掌握：比“理解”要求更高，有的知识必须记住。 学习要求 复习并掌握先修课的有关内容 课堂：听讲与理解、适当笔记 课后：认真读书、完成作业 实验：充分准备、勇于实践 参考书 《模拟电子技术基础》，孙肖子、张企民编著，西安电子科技大学出版社 《模拟电子技术基础》，童诗白、华成英主编，高等教育出版社 《电子线路：线性部分》，谢嘉奎主编，高等教育出版社 教材及辅导书 仿真软件 Protel Workbench Matlab Multisim MULTISIM的操作界面 作业及上课 每章交一次，除第二章和第六章 每次全交，批改一半 不定期抽点名 大作业一次 第 1 章 引 言 半导体器件优点：体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小等 目的：正确选用各种合适的半导体器件 本章特点：概念多，琐碎 重点及难点：器件的工作原理、特性曲线、主要参数 1.1 半导体的基础知识 半导体是依靠自由电子和空穴两种载流子导电的。 掺入不同杂质，形成N型和P型半导体。 载流子的两种运动：电场作用下的漂移运动和浓度差作用下的扩散运动。 1.2 PN结与晶体二极管 图解法、迭代法、折线化近似法 1.3 特殊二极管 1.4 晶体三极管★★ 本节小结 记忆三极管结构符号 理解外部电流关系 掌握重要参数 理解特性曲线 1.5 场效应晶体管 本章小结 半导体导电机理 杂质半导体 PN结 二极管 三极管 场效应管 1.3.4 晶体三极管特性曲线 2. 共射接法输出特性曲线★ 饱和区 注意： 临界饱和： 临界饱和电压：UCES 关系 集电极----基极间反向饱和电流ICBO 集电极----发射极穿透电流ICEO 关系：ICEO=(1+ ) ICBO 1.4.5 晶体三极管主要参数 1. 放大参数 2. 极间反向电流 极限电流----集电极最大允许电流ICM 极限电压----U(BR)CBO，U(BR)CEO 3. 极限参数 极限功率----集电极最大允许功耗PCM 安 全 工 作 区 1.4.5 晶体三极管主要参数 3. 极限参数 ICBO 的温度特性 T ?100C则ICBO ?约1倍 UBEO的温度特性 T ?10C则UBEO （ 对于PNP管：UEBO ）?(2?3)mV ? 的温度特性 T ?100C则? ?(0.5?1)% 4. 晶体管参数的温度特性★ 1.4.5 晶体三极管主要参数 1.5.1 结型场效应晶体管（JFET） 1.5.2 绝缘栅场效应管（IGFET） 1.5.5 场效应管的参数及特点 场效应管：利用电压产生的电场效应来控制 电流的半导体器件。 特点：体积小，重量轻等，输入阻抗高，噪声低等。 FET JFET IGFET 增强型 耗尽型 1.5 场效应晶体管 1.5.1 结型场效应管（JFET） 1.5.1 结型场效应管（JFET） 1. JFET结构与符号 P-JFET N-JFET N型导电沟道 栅极 源极 漏极 导电沟道 两个P+区与N区形成两个PN结，夹在其中的N区是电子由源极流向漏极的通道，称为导电沟道。 2. JFET工作原理（以NJFET为例） 1.5.1 结型场效应管（JFET） 正常工作条件：PN结反偏 受控机理 漏极电流iD 受控于uGS。 1.5.1 结型场效应管（JFET） 2. JFET工作原理（以NJFET为例） 受控 于 取决 于 iD 端压uDS 沟道电阻R沟道 控制电压uGS (设uDS一定) 工作原理------uGS 控制iD (uDS =C?0) ? uGS ??? UDS UGS d g s iD ?? iD ?? 夹断 uGS = UGS(off) UDS UGS d g s iD ?0 初始沟道 UGS d g s iD ? UDS iD? ?uGS ?? ? uGS ???? UDS UGS d g s iD =0 iD = 0 预夹断 uGD = UGS(off) 1.5.1 结型场效应管（JFET） 2. JFET工作原理（以NJFET为例） 工作原理----- uDS 影响 iD (uGS =C?0) UGS d g s iD 0 UDS iD ? uDS ?