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(1) 稳定电压UZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数——K 2. 稳压二极管主要参数main parameter of Zener 1.2.3 发光二极管及其应用LED and Application 发光二极管是一种将电能直接转换成光能的固体器件，简称LED（Light Emitting Diode）。 和普通二极管相似，LED也是由一个PN结组成的，当正向导通时可以发出一定波长的可见光，常有红、绿、黄等颜色。 也有可以发出红外光等不可见光的发光二极管。 退出 发光二极管具有驱动电压低、工作电流小、具有很强的抗振动和抗冲击能力、体积小、可靠性高、耗电省和寿命长等优点，广泛应用于信号指示等电路中。 一般LED的工作电流为几十 mA，正向导通压降为（1 ? 2) V，安全使用电压应选择5V以下。 退出 2. 发光二极管的应用 （1）做电源通断指示电路。 但要保证LED的正向工作电流在规定的范围之内，具体型号LED的工作电流可查阅手册等资料。 供电电源可以是直流也可以是交流 退出 （2）发光数码管。 ——发光数码管是电子技术中的主要显示器件，常用的七段显示数码管是用LED经过一定的排列组成的，如图所示。 1 4 退出 七段显示数码管有共阳极和共阴极之分，如下图所示。 共阳极LED分布 共阴极LED分布 退出 退出 1.3 晶体管 主要要求： 了解半导体三极管的结构、类型与参数 掌握半导体三极管的特性曲线的含义 熟悉三极管的放大作用 退出 1.3.1 晶体管的结构和类型 construction classification N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 NPN 型 E C B 三区 三极 两结 集电区 基区 发射区 集电极 Collector 基极Base 发射极Emitter 集电结 发射结 — 集电区 — 发射区 P P N PNP型 退出 三极管的分类 按材料分 按频率特性分 按功率分 硅管 锗管 高频管 低频管 大功率管 中功率管 小功率管 按结构分 NPN管 PNP管 退出 1.3.2晶体管的基本工作原理 Basic work principal 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 （1）IE=IC+IB （2）IC=βIB （3）IE=IC+IB =（1+ β ）IB≈ IC 退出 三极管共发射极电路伏安特性曲线的电路图： 1.3.3 晶体管的特性曲线Charactistic curve 退出 1. 输入特性曲线 死区电压与导通电压UBE 硅管分别约为0.5V和0.7V 锗管分别约为0.1V和0.3V （1）截止区——iB=0曲线以下的区域： iC= ICEO ≈ 0，两结均反偏，三极管各电极电流均约等于0，所以可以等效为断开的开关； 退出 2. 输出特性曲线 放 大 区 截止区 ICEO 饱 和 区 （2）放大区——在iB=0的特性曲线上方，近似平行于横轴的曲线族部分： iC基本不随uCE变化仅受iB控制，iC=βiB，发射结正偏、集电结反偏，相当于受控电流源。 uCE /V iC / mA 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 2 4 6 8 10 25 20 15 10 5 （3）饱和区——输出特性曲线近似直线上升部分： 三极管饱和时管压降uCE很小，叫做饱和压降uCES，两结均正偏，相当于闭合开关。 * * * 0.1 电子技术概述 0.2 电子器件的 基本材料-半导体 0.3 PN结 退出 基本半导体Basic Semiconduction PN结 半导体基础知识与 本章小结 退出 1.1 半导体的基本知识Semiconduction Knowledge Require： Tomas