STM32增强型微控制器访问NANDFlash学习笔记技术报告.docVIP

一、了解NAND Flash ? Flash即是存储芯片的一种，其结合了ROM和RAM的特点，既具备电可擦除编程的性能，又可以快速读取数据，数据不会因断电丢失。目前市面上Flash主要有NOR Flash和NAND Flash。 简单的理解就是，NOR?Flash具有随机存取和随字节执行写操作的能力，即可以访问到存储器内部的任意一个字节，且具有读取速度快等特点，它占据1MB—16MB闪存的大部分市场，根据其读取数据速度快的特点主要应用在代码存储；而NAND Flash以“页”为单位进行对数据的读写操作，且具有写入和擦除速度快等特点，它应用在8MB—256MB的产品中，根据其特点主要应用在数据存储上。 以型号HY27UF081G2A的NAND Flash芯片为例，其总线宽度为8bit，总内存大小为1Gbit（即128MB），共分为1024块（Block），每块又分为64页（Page），每页共2KB(main memory)+64B(spare memory)，main memory用来存放数据，spare?memory用来标记已坏的块区和保存对main?memory的ECC校验码等（正常情况下不用）。更多的HY27UF081G2A资料参照相关Datasheet。 ? 二、了解HY27UF081G2A芯片引脚功能和NAND?Flash接口时序及控制命令 1、引脚说明 图1??引脚图 图2??引脚名称 ? ? ??????2、地址周期 图3??地址周期 其中A10—A0表示页内地址偏移（表示0—2047字节，1页大小即为2K） ??????A11表示上半页或者下半页（这位程序员无需关心，决定A10—A0时也间接决定了A11） ??????A17—A12表示页地址（表示0—63页） ??????A27—A18表示块地址（表示0—1023块） 由于NAND Flash访问的单位是“页”，设置访问地址时只需要确定A27—A12的值即可确定到某一页，如果要从页内的某一位置开始访问，则根据需要设置A10—A0位来确定从页内第几个字节开始访问，如：要访问存储空间为第3块的第5页，且从第100字节开始进行访问，则对应的4个Cycle周期的地址信号为：1?st?：0x64??，?2 nd?：0x00???，??3?rd?：0xC5??，??4th?：0x00 ? 3、了解控制命令，如下所示 图4??控制命令 ? 4、了解接口时序，对该存储器进行访问操作有读取芯片ID、读页数据、写页数据，块擦除等共有13种，每种不同的操作对应不用的接口时序，此处只例举其中的4种操作：读取芯片ID、读页数据、写页数据、块擦除相应的接口时序图，更多操作参阅其Datasheet。 图5??读取芯片ID时序 图6??读取一页数据 图7??写一页数据（页编程） 图8??块擦除 ? 同时应注意一些时序参数，如在上几幅时序图中出现的tAR（ALE至~RE的延时），tCLR（CLE至~RE的延时）等等，这些时间参数都有不同的取值范围（ns级别），时序图中出现的Col?Add1、Col Add2为列地址表示页内地址偏移，对应4个Cycle地址中的第1、第2个，Row Add1、Row Add2为行地址标识某块某页地址，对应4个Cycle地址中的第3、第4个。更多详细资料参见相关Datasheet。 ? 三、STM32F10x增强型控制器的FSMC模块 ??????FSMC（可变静态存储控制器）是STM32系列微控制器采用的一种新型的存储器扩展技术，可根据系统的需要方便的进行不用类型大容量静态存储器的扩展；简单的理解FSMC模块可对多种外接存储器进行控制，其主要包括NOR?Flash、NAND?Flash、PC卡，下面对访问NANDFlash介绍。 ? 1、STM32F10x控制器与HY27UF081G2A的对接 先看STM32F10x控制器提供的NAND Flash接口（这里为8位的NAND闪存） 图9??STM32F10x控制器的NAND Flash接口 接口各信号对应的GPIO口为： A[17]?：?PD12 A[16]?：?PD11 D[0:7]?：?PD14，PD15，PD0，PD1，PE7，PE8，PE9，PE10 NCE[x] ： 这里使用NCE[2]，对应GPIO口为PD7 NOE(=NER)?：?PD4 NWE?：?PD5 NWAIT/INT[3:2]?：?PD6（根据情况使用该引脚信号，这里不使用） ? 结合HY27UF081G2A的引脚功能说明，STM32与HY27UF081G2A的连线方式选择如下： ????????????STM32F10x的NAND接口??????????????????HY27UF081G2