功率器件习题要点.docVIP

第一章 1-1 （功率半导体分立器件的分类。） 答：晶体管transistor、整流器 rectifier、可控晶闸管 thyristor 1-2、please list the name of popular power switch。(常用的功率开关) 答：功率开关包括功率晶体管（power MOSFET 、IGBT、Bipolar device ）和整流器。 1-3、Define the ideal power semiconductor device。（定义理想的功率半导体器件） 答：理想的功率半导体器件是要求在功率输出时损耗为零，即开态时压降为0，关态时电流为0。 1-5、list the devic name you known that has the normally-off performance？（那些器件具有常关特性） 答：n-MOS、IGBT、VDMOS、Trench MOS等n沟道器件都是常关的。 1-6.which is the preferable for normal system ?normally-on device or normally -off ? give the reason. 答:常关器件更为常用。因为在不加栅压时常开器件电流为0而常开器件的电流不为0。并且在栅控电路无法工作时及时的阻止电流流向负载是很重要的。所以常关器件更便于控制。 1-7、list the international semiconductor company name you know the product the power semiconductor devices 。 答:Infineon、 Mitsubishi?Electric、Toshiba、Sanken、STMicro、Internation?Rectifier Fuji?Electric、Renesas Onsemi、Fairchild ,Semikron, Vishay , NXP、Shindengen 、AlphaOmega 第二章 (结击穿和结终端技术） 1、what is meant by impact ionization coefficient of hole(electron)?什么是空穴（电子）的碰撞电离率？ 答：空穴（电子）的碰撞电离率()是每个空穴(电子）在耗尽层内沿着电场方向运动1cm通过碰撞电离所产生的电子-空穴对数。 2、what is a plane junction?什么是平面结 答：平面结是各种pn结中最简单的形式，也叫平行平面结，一维二极管或理想pn结，平面结没有边界，具有一维性质的电场。 3、define the punch-through diode structure. 定义穿通二极管结构 答：穿通结构在低掺杂浓度一侧连有一高掺杂区域，低掺杂一侧的厚度小于击穿时耗尽区的最大宽度，其一般是P+N-N+结构。 4、why does the impact ionization coefficient increase with the increasing of the electric field and it decrease with the increasing of temperature.为什么碰撞电离率随着电场的增大而增大，随着温度的升高而减小？ 答： 为载流子在很高的电场下运动所获得的能量，当达到一定值时，便会发生碰撞电离，电场越大，增加也越快，单位距离内通过碰撞电离产生的电子-空穴对也越多，所以碰撞电离率越大，温度升高时，半导体晶格振动加强，载流子与晶格碰撞损失的能量也增加，从电场积累能量的速率变慢。 5、解释此公式的物理效应。 答：假设==的情况下，当碰撞电离率在势垒区的积分达到1时，将发生雪崩击穿。 6、Which structure has the largest breakdown voltage under the same junction depth:plane junction,cylindrical junction and spherical junction?在结深相同的情况下，平面结柱面结球面结，哪个击穿电压最大？ 答：平面结最大 平面结是理想情况，没有边缘效应，圆柱结和球面结的边缘部分限制了器件的击穿电压，因为边缘部分的曲率大，电场更强，击穿电压变小，更易于击穿 7、Explain the affect of non-uniform oxide layer in the field plate design 场板设计中，非均匀氧化层的影响 答：在pn结的曲面处，氧化层厚度较薄，引入更多的附加电荷，减小了冶金结处的峰值电场，在场板