数字电子技术3章教案分析.ppt

动态特性 ⒊ 符号及导通条件 (1)低电平输出特性 (2)高电平输出特性 由于寄生电容和输出负载电容的存在，输出电压变化必然滞后于输入电压变化。我们将输出电压波形滞后于输入电压波形的时间叫做传输延迟时间。 工作原理小结: 二、电压传输特性 三、输入端噪声容限 二.交流噪声容限 输入信号为接近门电路传输延迟时间的窄脉冲时，使输出状态改变所需要的脉冲幅度将远大于信号为直流时所需要的信号变化幅度。 三.电源的动态尖峰电流 电源尖峰电流的影响：电源平均电流增加；多个门电路同时转换工作状态时尖峰电流的数值很大，形成一个系统内部的噪声源。 截止状态 饱和状态 vi=VIL0.5V vo=+VCC vo=0.2V 二、双极型三极管的输入、输出特性及开关特性 vi=VIH iB≥IBS ②vi=0.2V时，因为vBE0.7V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压： ①vi=1V时，三极管导通，基极电流: 因为0iBIBS，三极管工作在放大状态。iC=βiB=40×0.03=1.2mA，输出电压： 三极管临界饱和时的基极电流： vo=vCE=VCC-iCRc=5-1.2×1=3.8V vo=VCC=5V ③vi＝3V时，三极管导通，基极电流： 而 因为iBIBS，三极管工作在饱和状态。输出电压： vo＝VCES＝0.2V ①vI＝0V时，三极管截止，iB＝0，iC＝0，输出电压vY＝VCC＝5V ②vI＝5V时，三极管导通。基极电流为： iB＞IBS，三极管工作在饱和状态。输出电压vY＝VCES＝0.2V。 三极管临界饱和时的基极电流为： 二、三极管非门 如何判断出来的？ 假设三极管截止，则基极电位为： 故三极管导通。 3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理 输入级由晶体管T1和基极电阻R1组成，它实现了输入变量A的传递。 B R D1 Vcc（5V） D2 A 发射极 输入级 中间 倒相级 推挽 输出级 输出级：由T4、T5和R4组成，其中T4与T5组成推拉式输出结构，具有较强的负载能力。 中间级是放大级，由T2、R2和R3组成，T2的集电极C2和发射极E2可以分别提供两个相位相反的电压信号 C2 E2 一、电路结构 0.9V Vb1=0.2+0.7=0.9V 三个PN结 导通需2.1V 工作原理 T1深饱和 T2截止 T5截止 1. 输入低电平（0.2V）时 不足以让 T2、T5导通 0.9V vo vo=5-vR2-vD2-Vbe4?3.4V高电平！ T1深饱和 T2截止 T5截止 T4导通 结论1:输入低时,输出为高 T1:倒置 全饱和导通 Vb1=2.1V Vc1=1.4V 反偏 ?0.9V 截止 ? ? 2. 输入为高电平（3.4V）时 2.1V 1.4V T1管:Ve1=3.4V Vb1=2.1V Vc1=1.4V T1管在倒置工作状态 3.4V T2,T5管饱和导通, Vce2=0.2V 所以:Vc2=0.9V→T4:放大 VD2=0.2V → D2:截止 T2:饱和 T5:饱和 T4:截止 +5V F R2 R1 3k T2 R3 T1 T5 b1 c1 A 饱和 vF=0.2V ? ? 2. 输入全为高电平（3.4V）时(续) 饱和 3.4V T1:倒置 T2:饱和 T5:饱和 T4:截止 结论2:输入高时,输出为低 T5饱和, Vce5=0.2V ? 输入低电平（0.2V）时 vF=3.4V 2. 输入高电平（3.4V）时 vF=0.2V T1:倒置 T2:饱和 T4:截止 T5:饱和 T1深饱和 T2截止 T4导通 T5截止 3. 逻辑功能 输出电压VO随输入电压Vi变化的关系曲线,即vO= f(vi) vO(V) vi(V) 1 2 3 3.4V B C D E 0.6V 1.4V 0 A BC段：线性区，当0.7V≤vi≤1.3V， 0.7V≤Vb2＜1.4V时，T2开始导通，T5仍截止，VC2随Vb2升高而下降，经T4射极根随器使vO下降。 AB段：截止区,当vI0.6V，Vb11.3V时，T2、T5截止，输出高电平VOH = 3.4V CD段：转折区vi=1.4V,T2、T5导通、T4截止，vO急剧下降. DE段：饱和区,vi1.4V T2、T5导通，VOL＝0.2V 传输特性曲线 低电平噪声容限 VNL ＝ VIL(max) － VOL(max) ＝ 0.8－0.4V＝0.4V 因此同CMOS反相器类似，同样也存在一个允许的噪声容限。定义方法也同CMOS反相器一样。