大学物理A()总复习祥解.ppt

例2 在半导体元件生产中，为了测定硅片上SiO2薄膜的厚度，将该膜的一端腐蚀成劈尖状，已知SiO2 的折射率n =1.46，用波长? =5893埃的钠光照射后，观察到劈尖上出现9条暗纹，且第9条在劈尖斜坡上端点M处，Si的折射率为3.42。试求SiO2薄膜的厚度。 Si SiO2 O M 解：由暗纹条件 e = (2k+1)? /4n ?= 2ne = (2k+1）? /2 (k=0,1,2…) 知,第9条暗纹对应于k=8,代入上式得 = 1.72(?m) 所以SiO2薄膜的厚度为1.72 ?m。 （二）、牛顿环 o R r e 暗纹 明纹 h 1、牛顿环半径公式： 2、条纹特征 明环 暗环 1）明暗相间的内疏外密的同心圆环 2）中央为一暗斑，条纹级次 中间低外边高 3）透射光干涉条纹与反射 明暗互补 3、牛顿环应用 牛顿环半径公式（空气膜n=1）： e o R r h 光程差变化 · * ( 单缝夫琅禾费衍射典型装置 ) —— 中央明纹 暗纹条件 明纹条件 ? 1、均匀磁场通过平面的通量计算 ? dS ? 2、非均匀磁场的通量计算 若是闭合曲面以曲面外法线方向为正 毕奥-萨伐尔定律： 真空中的磁导率： ?o= 4 ??10-7 T·m·A-1 P Idl r ? 1、?1 ，?2 角 ?1指的是Po线与P和电流始端A的连线的夹角 ?2指的是Po线与P和电流末端B的连线的夹角 d + a o P A B 2、?1 ，?2 角的正负 从Po旋转到PA（或PB) 旋转方向与电流流向相同为正 相反为负 讨论： 1.当直线电流为“无限长”时 2.若导线为“半无限长”,其一端 d p I ?1 ?2 A B d P I A B ?2 3.在AB的延长线上的点B=0 讨论: (1)圆心处 x y θ x dBx θ (2)半圆环电流I在圆心处的B？1/4圆环时圆心 处的B？N度圆环圆心处的B？ 周期： 频率： - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + V1 V2 I I + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - V1 V2 I I + 四类磁介质 1、动生电动势的计算 两种方法： ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? S ? L ? o a b 感生电动势的计算方法总结： （1） 需先求出L上各点的感生电场 （2） 求对称性分布的EK 若回路不闭合需先构造闭合回路。 假想回路OBA,方向如图所示 回路磁通量： ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? A B R ? ? ? ? C 利用法拉第电磁感应定律 对于OA,OB段 ? ? 垂直 与 l d E k v v ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?d ? ? ? ? ? 如图所示，在半径为R的无限长 圆柱形空间内存在均匀磁场， 在垂直于圆柱轴线的平面内 有一无限长直导线，距圆柱 轴线距离为d(dR) 求长直导线感应电动势的大小和方向 . R 解：方法一 利用法拉第电磁感应定律 作回路l如图所示 方向与 的绕行方向相反 自感电动势 自感系数 互感电动势 互感系数 磁场的能量： 电场能量与磁场能量的比较 电场能量 磁场能量 电容器储能 自感线圈储能 电场能量密度 磁场能量密度 磁场能量 能量法求L 电场能量 能量法求C S2 + + + - - - L S1 × × × × × × × × × × × ×× × × × × × × × × × × × × × × o P 麦克斯韦方程组的积分形式: 简谐振动特征及其表达式 则总能量 一. 同一直线上两个同频率的谐振动的合成 x y o p x O点的振动方程： 波源振动方程： S1 S2 P P点的相位差： 同(振动)方向同频率的两列平面谐波