第01章半导体二极管及基本电路详解.ppt

第一章 半导体二极管及基本电路/ 1.2半导体二极管/伏安特性 * 1）正向特性： OA段：当 UF ＜ UT （死区电压）时外电场不 足以克服结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流 IF 很小(I F ≈0)， D处于截止状态。 硅(Si)：U T ≈0.5V; 锗(Ge): U T ≈0.1V。 AB段：当 U F ＞U T后， Ed↓↓→扩散运动↑ ↑ → I F ↑ ↑ → D 导通。 D导通时的正向压降，硅管约为(0.6~0.7)V，锗管约为(0.2~0.3)V。 分析： 第一章 半导体二极管及基本电路/ 1.2半导体二极管/伏安特性 * 2） 反向特性 OC段：当 U R ＜ U BR （击穿电压）时， CD段：当 U R ＞ U BR 后， PN结被击穿， I R 随△ U D 失去单向导电性。 扩散 漂移 Ed I R 很小 D 截止。 一般情况下，锗管反向电流I R＞硅管I R反向电流。 第一章 半导体二极管及基本电路/ 1.2半导体二极管/伏安特性 * 综述： 1）二极管的 V—A 特性为非线性； 2）当 时，且 U F ＞U T ，则 D 导通； 3）当 U T ＜ U D ＜ U BR ，有I R ≈0，则D 截 止； 4）当 时，且 U R ＞ U BR ，则反向击穿烧坏。 第一章 半导体二极管及基本电路/ 1.2半导体二极管 * 三. 主要参数 1）最大整流电流 I F M 二极管长时间可靠工作时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2）最高反向工作电压 U R M 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。 U R M=（击穿电压）/ 2 3）最大反向电流 I R M 当二极管加上反向工作峰值电压时所对应的反向电流。 I R M越小，单向导电性好。 第一章 半导体二极管及基本电路 * 二极管的应用很广，其基本电路有整流电路、开关电路、限幅电路等。由于二极管是非线性器件，分析电路时常采用模型分析法。 理想模型 恒压模型 1.3 二极管基本电路及分析方法 第一章 半导体二极管及基本电路/1.3二极管基本电路及分析方法 * 例 1. 当输入电压为 ui ，试绘出输出电压 uo 波形。设U c ( 0+ ) = 0，tp RC ，D为理想二极管。 整流作用 微分电路 第一章 半导体二极管及基本电路/1.3二极管基本电路及分析方法 * 例 2. 开关电路如图所示，当输入端 UA = 3V ， UB = 0 V,试求 输出端 Y 的电位 UY。 解： ∵ UA = 3V， UB = 0V ∴ DA优先导通， DB 截止； 则 UY = UA－UD =3－0.7(0.3)= 2.3( 2.7) V 例 2图 UA UB U 0 2.3 0 3 2.3 3 3 2.3 0 0 -0.7 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 电路的逻辑关系为或逻辑 二极管具有钳位作用 第一章 半导体二极管及基本电路/1.3二极管基本电路及分析方法 * 例 3. 限幅（削波）作用电路如图所示， 求 uo 及画出波形。 解：1）当 ui ＞E 时， D导通； ∴ uo = UD + E≈ E 2) 当 ui ＜E 时, D截止， ∴ uo = ui 第一章 半导体二极管及基本电路 * 1. 4 稳压二极管（DZ) 稳压二极管的工作机理是利用PN结的击穿特性。 一. V—A特性、符号、状态 DZ DZ 第一章 半导体二极管及基本电路/V—A特性、符号、状态 * 分析： 1）稳压管的正向特性与二