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电子束光刻技术探究 报告人：刘聪 学 号：201201032 内容提纲 绪论 电子束曝光机原理及系统 电子束光刻技术应用 2. 3. 4. 1. 电子束光刻技术瓶颈 第一章 绪论 1.3电子束光刻种类 1.2电子束光刻技术定义 1.1光刻技术发展概况 摩尔定律 高分辨率 直写式 1.1光刻技术发展概况 在摩尔定律的指引下，半导体工业每两至三年就跨上一个新的台阶，即所谓的半导体技术发展线图(ITRS)。预计2004年进入90nm节点器件的批量生产，到2011年，英特尔公司已研发出7nm工艺器件。然而这一切变化的关键是光刻技术，所以人们统称光刻技术是半导体工业的“领头羊”。 2003 2007 2012年 2003年ITRS最新技术进程 2004 2005 2006 2008 2009 2010 100 90 80 70 65 55 24 14 7nm 光源波长的发展 光刻技术是利用光学复制的方法把超微细图形刻印到半导体衬底上来制作复杂电路的技术,光的应用是整个光刻技术的关键,因此光刻技术的展开是围绕光的波长进行的，光源波长的发展也是光刻技术发展的写照。 波长趋势 193nm(ArF) 01.-10nm(EUV) 0.01nm(电子束） 436nm(g线） 365nm（i线） 248nm(KrF) 1.2电子束光刻定义 特点：高分辨率、性能稳定、功能强大、价格相对低廉。 电子束光刻机原理图 利用电子束在涂有电子抗蚀剂的晶片上直接描画或投影复印图形的技术。 1.3电子束光刻分为两大类： 一、直写式 直写式就是直接将汇聚的电子束斑打在表面涂有光刻胶的衬底上，不需要光学光刻工艺中最昂贵和制备费时的掩膜 二、投影式 投影式则是通过高精度的透镜系统将电子束通过掩膜板图形平行地缩小投影到表面涂有光刻胶的衬底上。 具体又可以细分为：传统电子束光刻、低能电子束光刻、限角度散射投影电子束光刻(SCALPEL)和扫描探针电子束光刻技术(SPL) 第二章 电子束曝光机原理及系统 直写式曝光机的工作原理是将精确聚焦的电子束斑逐点地在样品台上移动，而移动方式可以分为逐行扫描模式和矢量扫描模式。 其镜筒系统组成主要包括：电子束光源、偏转系统、开关挡板和精确定位的样品台，如图1所示 图1 2.1 直写式曝光机原理 电子束光源有两种： 热电子源 场发射源 将灯丝加热到足够高的温度，使电子有足够的能量越过电子枪金属功函数的势垒发射出来形成电子源。 场发射源是利用足够强的电场 电子隧穿势垒形成电子源。 一个好的电子源应该满足：亮度 高、源斑小、能量发散小、稳定性强和时间长的使用寿命 表l为不同电子束源主要特性的比较。一般直写式曝光机主要使用的是热场发射源(表面镀ZrO的钨金属针尖)，工作温度在1800K，和冷场发射源相比可以有效地防止针尖的污染并提供稳定的光源。 表一 电子束曝光中常用的几种电子束特性 2.2 几种常见的电子束曝光系统 目前实验室常用的电子束曝光系统主要来自日本JEOL公司、德国Leica公司和德国Raith公司。表2给出了各家公司代表性的小型电子束曝光机的性能指标。 表二几种电子束曝光系统的性能 曝光系统对比 具有光斑可调 的电子束光源及步进式样品台，能够作为制备砷化 镓场效应管、x射线掩模及硅器件的电子束曝光设 备；也可应用于极限尺寸的新器件(包括量子效应器 件)的研究与制备 常规的微电子技术，前沿的纳米光刻和高精度项目。 它使用大电流密度的发射枪，能够提供大范围的纳米 光刻研发系统最优化的拼接精度和产出能力 可以完成多种材料的前沿课题，包括硅、混合半导体、光电子、 微晶体管、纳米光刻、微光学和掩模制备 特殊纳米结构的制备、模版制作与检 测、多维形貌学和纳米工程。通过添加一定的附件，还可以完成包括电子束辅助气相沉积、纳米操纵、电学测量和x射线分析等功能。高精度与高分辨率，很有希望用于场发射阴极管的制备与修复。很 多材料都可以利用这项技术沉积，例如金、铜n 碳n 、钨等。利用电子束辅助气相沉积可以制备良好的Pt导电接触 日本JEOL 德国Leica 德国Reith 德国Reith150 主要特征： ? 电子枪：高分辨率的热(Schottky)发射源(尺寸：20nm) ? 束能量可调：200eV-30keV ? 图形直写(0.5μm) ：最小线宽分辨率20nm ? 写场可调： 0.5μm-1000μm ? 图形快速生成：10MHz 描写速度 ? 晶片支架：1cm2样片～6inch晶片 ? 水平控制：三点压电接