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2.3.3 等效电路法 一、晶体管的直流模型及静态工作点的估算法 UBEQ固定，b－e间为恒压源 输入回路 * 2.3.3 等效电路法 一、晶体管的直流模型及静态工作点的估算法 直流模型 受控电流源 输出回路 使用条件： * 2.3.3 等效电路法 二、晶体管共射h参数等效模型 1. h参数等效模型的由来 (1) 三极管可以用一个模型来代替。 利用输入和输出端口的电压、电流关系，得出h参数等效电路模型 (2) 对于低频模型可以不考虑结电容的影响。 (3) 小信号意味着三极管在线性条件下工作，微变也具有线性同样的含义。 * 2.3.3 等效电路法 二、晶体管共射h参数等效模型 输入特性： 输出特性： 1. h参数等效模型的由来 对小信号，取全微分： * 2.3.3 等效电路法 二、晶体管共射h参数等效模型 1. h参数等效模型的由来 u、i在线性范围内： diB——iB duCE——uCE 共射极接法 * 2.3.3 等效电路法 二、晶体管共射h参数等效模型 1. h参数等效模型的由来 h参数的含义 混合参数 * 2.3.3 等效电路法 二、晶体管共射h参数等效模型 2. h参数的物理意义 输出回路电压对输入回路电压的影响程度 很小 UCE不变 IB不变 Q点输入端电阻 * 2.3.3 等效电路法 二、晶体管共射h参数等效模型 2. h参数的物理意义 Q点电流放大系数 rce为输出电阻 很大 UCE不变 IB不变 * 2.3.3 等效电路法 二、晶体管共射h参数等效模型 3. 简化的h参数等效模型 (1) h参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数，只适合对交流信号进行分析。 (2) h参数与工作点有关，在放大区基本不变。 (3) 简化模型适合输出回路负载RL较小的情况 很大 很小 * 2.3.3 等效电路法 二、晶体管共射h参数等效模型 4. rbe的近似表达式 基极杂质浓度低， rbb′大 发射极杂质浓度高， re小，可忽略 输入回路等效电路： * 2.3.3 等效电路法 二、晶体管共射h参数等效模型 4. rbe的近似表达式 根据二极管的电流方程 对于三极管的发射结 求发射结的动态电导，b?相当基区内一个点。 UT≈26mV * 2.3.3 等效电路法 三、共射放大电路动态参数的分析 1. 电压放大倍数 * 2.3.3 等效电路法 三、共射放大电路动态参数的分析 2. 输入电阻Ri 4. 输出电阻Ro 求戴维南等效电阻：对无源网络加电压求电流 Ib=0 * 例1： 求：1. 静态工作点Q 已知VBB＝1V， Rb＝24kΩ， VCC＝12V， Rc＝5.1kΩ ， rbb′ ＝100Ω，β＝100，UBEQ＝0.7V。 画直流通路 正常放大 * 例1： 求：2. 已知VBB＝1V， Rb＝24kΩ， VCC＝12V， Rc＝5.1kΩ ， rbb′ ＝100Ω，β＝100，UBEQ＝0.7V。 画交流通路 * 例2： 求：1. 已知VCC＝12V， Rb＝510kΩ，Rc＝3kΩ ， rbb′ ＝150Ω，β＝80，UBEQ＝0.7V ，RL＝3kΩ 。耦合电容对交流短路。 求静态工作点 正常放大 * 例2： 求：1. 已知VCC＝12V， Rb＝510kΩ，Rc＝3kΩ ， rbb′ ＝150Ω，β＝80，UBEQ＝0.7V ，RL＝3kΩ 。耦合电容对交流短路。 画交流通路 * 例2： 求：2. 若Rs＝2kΩ， 已知VCC＝12V， Rb＝510kΩ，Rc＝3kΩ ， rbb′ ＝150Ω，β＝80，UBEQ＝0.7V ，RL＝3kΩ 。耦合电容对交流短路。 输入电阻越大，信号源内阻的影响越小 * 例3： 1. 测得UCEQ＝6V，估算Rb＝？ 图示电路中， rbe ＝1.4 kΩ，β＝100 ＋12V 3kΩ * 例3： 图示电路中， rbe ＝1.4 kΩ，β＝100 ＋12V 3kΩ 2. 测得Ui＝1mV，Uo＝100mV，则RL＝？ * 例4： 设ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。 ＋12V 3kΩ 问：当负载电阻RL＝∞ 和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少？ 静态时： 直流负载线与交流负载线相同 交流负载线与uCE轴交点为9V * 小结： 1. 微变等效电路模型 2. rbe等效电阻的计算 3. 共射放大电路动态参数计算 4. 静态工作点计算 * 作业： P140 2.7 *