化学气相沉积资料讲解.pptVIP

8.2.6 化学气相沉积的新进展 零件的变形 组织变化 降低基体材料的机械性能 基体材料---沉积的镀层中的合金元素 在高温下会发生相互扩散，在交界处形 成某些脆性相，从而削弱了两者之间的 结合力。 8.2.6化学气相沉积的新进展 金属有机化合物化学气相沉积 （MOCVD） 等离子体化学气相沉积法（PCVD） (PECVD) 激光化学气相沉积法（LCVD） 低压化学气相沉积（LPCVD） 一、金属有机化合物化学气相沉积 （MOCVD） Metal Organic Compound Chemical Vapor Deposition） 用在相当低的温度下能分解的金属有 机化合物作初始反应物。 优点: 可以在热敏感的基体上进行沉积 缺点: 沉积速率低 晶体缺陷密度高 膜中杂质多 二、等离子体化学气相沉积（PCVD） Plasma (Enhanced) Chemical Vapor Deposition 低压气体放电技术 化学气相沉积 直流电场 高频电场 微波场 反应气体发生辉光放电 等离子体及其性质 等离子体是气体存在的一种状态，在这种状态下，气体由离子、电子和中性原子组成，在宏观上呈电中性。等离子体可以由气体放电（辉光放电和弧光放电）或高温（火焰、电弧、核反应）产生 二、等离子体化学气相沉