薄膜生长技术分析报告.pdf

第四章 薄膜生长技术 4.1 物理气相淀积（PVD） 主要内容 4.1.1 蒸发概念与机理 4.1.2 常用蒸发技术 4.1.3 溅射概念与机理 4.1.4 常用溅射技术 薄膜制造 物理淀积PVD 蒸发Evaporation 溅射Sputtering 化学淀积CVD APCVD LPCVD HDCVD VPE Else 4.1.1 蒸发概念与机理 1. 基本原理 热蒸发法：在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸 出，形成蒸气流并入射到衬底表面，凝结形成固态薄膜。 优点：较高的沉积速率， 相对高的真空度，较高的 薄膜质量等。 缺点：台阶覆盖能力差； 沉积多元合金薄膜时，组 分难以控制。 平衡蒸汽压 在一定环境温度T下，真空室内 固体物质表面蒸发出来的气体分子 与该气体分子从空间回到该物质表 面的过程达到平衡时的压力称为平 衡蒸汽压。 右图为不同元素的平衡蒸汽压与温 度的函数关系，平衡蒸汽压与蒸发 淀积速率密切相关。 液相条件下，蒸汽压 12 3/ 2 1/ 2 H/ NkT P 3 10  T e e v 为了得到合适的淀积速率，样品 蒸汽压至少应为10mTorr。 2.淀积速 当将坩埚和晶圆片放在同一个球表面上时，推导可得淀积速率 M P A R  e d 2k2 T 4r2 蒸发材料 温度 腔体形状 一个典型的蒸发 淀积设备 虚拟源 为得到高淀积速率，蒸发台通常 用很高的坩埚温度工作，因而，在 紧靠坩埚上方区域，蒸发气压达到 足够高，以致使这个区域处于粘滞 流动状态，在此区域内工作会导致 蒸发材料凝聚成小液滴，如果这些 液滴到