OTFT开关比的主要影响因素及参数调节分析.pdfVIP

第４１卷 第５期 福州大学学报（自然科学版） Ｖｏｌ．４１Ｎｏ．５ ２０１３年１０月 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＦｕｚｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） Ｏｃｔ．２０１３ ＤＯＩ：１０．７６３１／ｉｓｓｎ．１０００－２２４３．２０１３．０５．０８５８ 文章编号：１０００－２２４３（２０１３）０５－０８５８－０４ ＯＴＦＴ开关比的主要影响因素及参数调节分析 陈金伙，李文剑，程树英 （福州大学物理与信息工程学院，福建 福州　３５０１１６） 摘要：拓展Ｂｒｏｗｎ模型结果，引进参量Ｋ（杂质层电流／感应层电流）分析有机薄膜晶体管（ＯＴＦＴ）开关比的主要 影响参数，并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法，它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制 约所带来的问题．最后，在参数调整接近至极限开关比情况下，研究Ｎ（有效杂质浓度）和Ｔ（有源层厚度）对 Ａ ｓ 开关比的影响规律．本研究结果可最大程度提升ＯＴＦＴ开关比，并为其它性能参数留下“设计余量”． 关键词：薄膜晶体管；ＩＶ方程；开关比；优化措施；参数调节 中图分类号：Ｏ４７２　 文献标识码：Ａ ＴｈｅｐｒｉｍａｒｙｉｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇｆａｃｔｏｒｓａｎｄｔｈｅｉｒａｄｊｕｓｔｍｅｎｔｍｅｔｈｏｄｔｏｉｍｐｒｏｖｅＩ／Ｉ ｏｆＯＴＦＴ ｏｎ ｏｆｆ ＣＨＥＮＪｉｎ－ｈｕｏ，ＬＩＷｅｎ－ｊｉａｎ，ＣＨＥＮＧＳｈｕ－ｙｉｎｇ （ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＦｕｚｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｆｕｚｈｏｕ，Ｆｕｊｉａｎ３５０１１６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｆｕｎｃｔｉｏｎｓｏｆＢｒｏｗｎｍｏｄｅｌｆｏｒＯＴＦＴｗｅｒｅｅｘｔｅｎｄｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．Ｂｙｖｉｒｔｕｅｏｆｔｈｅｐａ ｒａｍｅｔｅｒＫ（ｔｈｅｒａｔｉｏｏｆｉｍｐｕｒｉｔｙｌａｙｅｒｃｕｒｒｅｎｔ／ｉｎｄｕｃｔｉｏｎｌａｙｅｒｃｕｒｒｅｎｔ），ｏｎｅｎｏｖｅｌｍｅｔｈｏｄｔｏｆｉｎｄｔｈｅ ｍｏｓｔｉｍｐｏｒｔａｎｔｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｎｄｔｏｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙｅｎｈａｎｃｅＩ／Ｉｗａｓｆｉｒｓｔｌｙｐｕｔｆｏｒｗａｒｄ，ｂｙｗｈｉｃｈｔｈｅｉｎｔｅｒ ｏｎ ｏｆｆ ａｃｔｉｏｎａｎｄｔｈｅｍｕｔｕａｌｒｅｓｔｒｉｃｔｉｏｎａｍｏｎｇｔｈｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓｗｅｒｅｔｏｔａｌｌｙｅｌｉｍｉｎａｔｅｄ．ＯｎｃｅＩ／Ｉ ａｐ ｏｎ ｏｆｆ ｐｒｏａｃｈｅｄｔｏｉｔｓｌｉｍｉｔ，ｔｈｅａｃｔｉｏｎｌａｗｏｆＮ（ｉｍｐｕｒｉｔｙｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）ａｎｄＴ（ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ Ａ ｓ ｔｏｒ）ｏｎＩ／Ｉ ｗａｓｓｔｕｄｉｅｄ．Ｔｈｅｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒｗａｓｕｓｅｆｕｌｔｏｓｅｔａｐａｒｔ“ｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｌｌｏｗ ｏｎ ｏｆｆ ａｎｃｅ”ｔｏｉｍｐｒｏｖｅｏｔｈｅｒｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＯＴＦＴｓ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＯＴＦＴ；ＩＶｅｑｕａｔｉｏｎ；Ｉ／Ｉｒａｔｉｏ；ｏｐｔｉｍｉｚｅｄｍｅａｓｕｒｅｓ；ｐａｒａｍｅｔｅｒａｄｊｕｓｔｍｅｎｔ ｏｎ ｏｆｆ ０