磁控溅射法制备基于CeO2的全透明阻变存储器资料.docVIP

磁控溅射法制备基于CO2的全透明阻变存储器 摘要 本文介绍了磁控溅射薄膜附着性能的影响因素；并采用磁控溅射法，以CeO2作为有源层、铟锡氧化物（ITO）作为电极，在玻璃衬底上制备全透明阻变存储器（TRRAM）器件。制备器件的可见光透过率为81%，其光学带隙能量为4.5eV，并具有可靠的双极型电阻开关行为。XRD分析表明，CeO2薄膜具有微弱的多晶相。其传输机理为，低场区以欧姆型为主，高场区以Poole–Frenkel效应为主。关于器件可靠性研究，分别在室温和85℃下对器件进行了，应力和耐力测试，得到其数据存储时间超过104s，表明该TRRAM器件在未来非易失性存储器应用上具有潜在价值。 Abstract This article describes the influence factors on the adhere performance of magnetron sputtered, and fully transparent resistive random access memory (TRRAM) device based on CeO2?as active layer using indium-tin-oxide (ITO) electrodes was fabricated on glass substrate, by using direct current