微系统封装基础作业介绍.docxVIP

A)什么是光刻胶（photo resist）？ B)正性光刻胶与负性光刻胶的区别是什么？其刻蚀的物理过程是什么？ 答： 光刻胶：指光刻工艺中，涂覆在材料表面，经过曝光后其溶解度发生变化的耐蚀刻的薄膜材料。利用这一特性，对均匀的光刻胶的不同位置进行曝光，再通过显影液就能得到想要的图形。 正性光刻胶：这种光刻胶被曝光的部分易溶于显影液，未被曝光的部分难溶于显影液。 负性光刻胶：它的被曝光的部分难溶于显影液，未被曝光的部分易溶于显影液。 什么是电介质常数？电介质常数低有什么好处？为什么有这样的好处（物理原理）？ 电介质常数高有什么好处以及坏处？低电介质常数与高电介质常数材料的应用有哪些（CMOS中的栅氧化层为什么用高电介质常数的材料，通常用什么材料）？ 答：电介质常数是电场在真空中时的电场强度与该电场中放入电介质后的电场强度的比值，又称为相对???电常数。 电介质常数低（low-K）有利于隔离器件，当器件尺寸很小的时候，器件与器件之间的间距也很小，此时寄生电容的效应变的很显著，电介质常数低的材料会降低寄生电容，从而达到更好的器件隔离效果。 电介质常数高时，如果材料是在器件之间，那么将无法很好的隔离器件；但电介质常数高的材料可以在其他条件不变的情况下形成更大的电容，这在用作MOS管的栅时有重要意义：器件尺寸的减小要求栅电压降低（否则会击穿），而在获得同样的驱动电流时，则需要栅电容较大，隧道效应限制了栅介质的厚度，所以需要采用高K值的材料来做栅介质。 低电介质常数的材料通常用于降低器件间的寄生电容。高电介质常数的材料通常用作器件的栅以避免隧道效应。 栅极材料需要是良导体，以前用重掺杂多晶硅。随着尺寸缩小，改用了高K值的材料。现在的一些高性能CPU中采用的是金属电极和高K值电介质混合的技术。 基板（Substrate）是什么？软基板与硬基板有什么区别？硅基板的应用有哪些？ 答：基板是光刻中图形刻蚀到的基底。 软基板与硬基板差别在于其是否是柔性的。 硅基板可用于集成电路，太阳能电池。 A)为什么通常高分子材料不导电？（物理原理） B)为什么金属导电？（物理原理） C)一些新材料（碳纳米管、石墨烯）为什么导电？ 答： 高分子材料不导电是因为没有可以自由移动的电荷，具体而言，高分子材料中，分子与分子之间由分子力作用，不涉及电子；而单个分子之间，又通常是饱和的共价键，这种共价键的电子对之间结合十分紧密，禁带宽度很大，电子难以挣脱束缚。故不能导电。 金属中，外层电子受核束缚较弱，形成金属键时，电子的禁带宽度很小，呈现出自由移动的形式。 碳纳米管、石墨烯中，碳原子的外层电子轨道是sp杂化，其中p轨道相互重叠连成一个很大的π键，电子可以在其中自由移动。 导电与导热的原理是什么？石墨烯与纳米管导电（与上一题重复）与导热的原理是什么？ 答:导电原理：导电电荷在物质中传递的过程，金属中是通过易于电离的电子在其中将电势传播；半导体中是电子空穴对的转换将电荷传播；有机物中通过电子轨道的交叠使电子可以在其中移动。 导热原理：导热是通过分子、原子、电子或声子间的碰撞与散射来将内能传递的过程。 石墨烯与碳纳米管导热原理是：碳原子之间形成了稳定的晶格，容易通过格波传递晶格震动从而传递内能。 为什么金刚石导热性能好？为什么金刚石不导电？ 答:碳-碳之间形成了很强的共价键，并且构成了很稳定的晶格，从而很容易传播晶格震动（即格波）；但电子却受到了很强的束缚，难以传递电荷。 什么是LED？其发光原理是什么？太阳能电池（solar cell）的物理原理是什么？ 答:LED是发光二极管。当给发光二极管加上 HYPERLINK /view/3118333.htm \t _blank 正向电压后，从P区注入到N区的 HYPERLINK /view/194378.htm \t _blank 空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。光照在半导体 HYPERLINK /view/70124.htm \t _blank p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结内建 HYPERLINK /view/63151.htm \t _blank 电场的作用下，光生空穴流向p区，光生电子流向n区，接通电路后就产生 HYPERLINK /view/10897.htm \t _blank 电流。 什么是晶体管？它（双极性）的物理原理是什么？晶体管的两个主要功能是什么？为什么这两种功能非常重要？ 答:晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种 HYPERLINK /view/19928.htm \t _blank 半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、 HYPERLINK /view/6851