第三章-热氧化CVD要点.ppt

原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD） * 反应1 AX + S(sub) → A·S(sub) +X(g) 在低压下进行，ALD中两个连续的反应如下： 反应2 BY + A·S(sub) → BA·S(sub) + Y(g) ALD生长Al2O3 * ALD-Al2O3的两个连续反应: 反应物1为Al(CH3)3(三甲基铝, TMA), 反应物2为水, 硅作为基板, 反应如下： 反应1 OH·Si + Al(CH3)3 → AlO(CH3)2·Si + CH4 反应2 AlO(CH3)2·Si + 2H2O → AlO(OH)2·Si + 2CH4 金属沉积 * 物理气相淀积金属的方法有： 蒸发(evaporation)；溅射(sputtering); 蒸发: 将要蒸发材料置于真空环境，加热至熔点以上。被蒸发的原子会以直线运动轨迹向前运动。 可由电阻加热、射频加热或以电子束聚焦的方式达到其熔点； 溅射是一种通过气体离子撞击靶材表面将材料从靶材转移 并沉积到基板上的工艺;典型的气体离子为氩气; Al-Si接触 * Al-Si接触 * 解决办法： 1）溅射时掺1-2%Si； 2）加扩散阻挡层； Al的电迁移现象 * 电迁移：在电流的作用下，金属原子会发生迁移现象, 是由于电子的动量传给带正电的金属离子造成的。 Al的电迁移现象 * 电迁移引起的导体平均失效时间(Mean Time to Failure): 增强铝导体对电迁移的抵抗能力方法: 与铜形成合金（如含铜0.5%）; 用介质将导体封闭起来; 淀积时加氧; 铜镀膜 * Cu相对于Al的优势： 1) 电阻率： 1.7vs 2.7 2) 抗电迁移； Cu相对于Al的缺点： 1) 缺乏可行干法刻蚀工艺 2) 附着力差 3) 污染及扩散快 双层嵌入法（大马士革工艺，damascene) 金属硅化物 * (Polycide) (Silicide) 金属硅化物 * 电阻率低； 高热稳定性； 4?4 BPSG850 ?C 30min N2 * * 键长参数？ * * 理论计算比开始的介绍要稍高， 2.3 vs 2.2 * 为什么是线性分布？ * 氧与硅在硅表面反应，硅的量是充足的，所以反应速率只和氧化剂浓度成正比 * Sqrt（Ｄｔ），扩散运动 * 1）斜率一样； 2）相同温度下，湿氧比干氧速度快； 3）111比100速度快 * * 1）111 快于100； 时间越长，差别越小（扩散主导）； 温度越高，差别越小 * * * * CVD反应 * CVD反应必须满足三个挥发性标准: 在淀积温度下,反应剂必须具备足够高的蒸汽压; 除淀积物质外,反应产物必须是挥发性的; 淀积物本身必须具有足够低的蒸气压 ; (1)反应剂被携带气体引入反应器后,在衬底表面附近形成“滞留层”,然后,在主气流中的反应剂越过边界层扩散到 硅片表面 (2)反应剂被吸附在硅片表面，并进行化学反应 (3)化学反应生成的固态物质,即所需要的淀积物,在硅片表面成核、生长成薄膜 . (4)反应后的气相副产物,离开衬底表面,扩散回边界. APCVD * 沉积速度快: 1000A/min； Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition 均匀性差; 粒子污染;台阶覆盖差 LPCVD * Low Pressure Chemical Vapor Deposition 优点：沉积均匀；颗粒少； 缺点：沉积速率低； PECVD * Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 优点: 温度低； 缺点： 容量有限，腔壁上沉积物疏松 二氧化硅的沉积 * 低温淀积时(300℃?500℃): APCVD反应炉中或LPCVD反应炉； PECVD反应炉： 无掺杂激活能为0.6eV; 有磷掺杂几乎为0； 二氧化硅的沉积 * 中等温度(500℃?800℃) 四乙氧基硅烷[Si(OC2H5)4 , 简称为TEOS TEOS为液态，可避免难处理的气体的使用； 无掺杂激活能为1.9eV; 有磷掺杂1.4eV； 沉积速率和TEOS分压p的关系: p0=30Pa 分压较高时，速率与分压无关； 二氧化硅的沉积 * 高淀积温度(900℃)： 均匀性极佳； 可以用作多晶硅的覆盖层； 激活能为1.8eV 二氧化硅薄膜特性 * 台阶覆盖性 * TEOS分解生成的二氧化硅在表面快速迁移，台阶覆盖性好； 高温下二氯硅烷反应生成二氧化硅，台阶覆盖性好； CVD SiH4+O2，台阶覆盖性性差； PECVD 生成