光刻工艺概述课件摘要.pptVIP

* * 8.3 光刻技术 脱水烘焙 经过清洁处理后的晶圆表面可能会含有一定的水分（亲水性表面），所以必须脱水烘焙使其达到清洁干燥（憎水性表面），以便增加光刻胶和晶圆表面的黏附能力。 * * 8.3 光刻技术 保持憎水性表面通常通过下面两种方法： 一是保持室内温度在50℃以下，并且在晶圆完成前一步工艺之后尽可能快的进行涂胶。 另一种方法是把晶圆存储在用干燥并且干净的氮气净化过的干燥器中。 * * 8.3 光刻技术 除此之外，通过加热也可以使晶圆表面恢复到憎水表面。有三种温度范围： 150～200℃（低温），此时晶圆表面会被蒸发。 到了400℃（中温）时，与晶圆表面结合较松的水分子会离开。 当超过750℃（高温）时，晶圆表面从化学性质上讲恢复到了憎水性条件。 通常采用低温烘焙，原因是操作简单。 * * 8.3 光刻技术 涂底胶 涂底胶的目的是进一步保证光刻胶和晶圆表面的粘结能力。底胶的选择必须保证一个很好的黏附和平滑的表面。 底胶的作用是从化学上把晶圆表面的水分子系在一起，因此增加了表面的黏附能力。 方法有：沉浸式 旋转式 蒸汽式 各有优缺点，使用时根据具体情况选择。