光刻工艺光刻胶课件摘要.ppt

显影液不易进入正胶的未曝光部分，正胶光刻后线条不变形。显影液会使负胶膨胀，线条变宽。虽然烘烤后能收缩，但易变形。所以负胶不适合2.0微米以下工艺使用。正胶是ULSI的主要光刻胶。 正胶的针孔密度低，但对衬低的粘附差，通常用HMDS作增粘处理。负胶对衬底粘附好，针孔密度较高。 3.正胶耐化学腐蚀，是良好的掩蔽薄膜。 两种光刻胶的性能 两种光刻胶的性能 两种光刻胶的性能 正胶 优点 分辨率高、对比度好 缺点 粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本 灵敏度 曝光区域光刻胶完全溶解时所需的能量 负胶 优点 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快 缺点 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率 灵敏度 保留曝光区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量 DUV深紫外光刻胶 传统DNQ胶的问题： 1、对于i线波长的光强烈吸收 2、汞灯在DUV波段输出光强不如i线和g线，因此灵敏度不够 3、量子效率提高有限（最大为1，一般0.3) 原理：入射光子与PAG分子反应，产生酸分子，在后续的烘烤过程中，酸分子起催化剂作用，使曝光区域光刻胶改性 总量子效率1，因此DUV胶的灵敏度有很大提高。 g线、i线光刻胶灵敏度为100 mJ/cm-2，DUV胶为20－40 mJ/cm-2 化学增强光刻胶 PAG (photo-acid generator) DUV胶化学增强的基本原理 要求对于环境和工艺参数控制严格，PEB 温度