第六章工艺集成详解.ppt

下载文档 降价啦

34
0
约 242页
2016-11-16 发布于湖北
举报
版权申诉
保障服务

第六章工艺集成详解.ppt

1、本文档共242页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

* 光刻胶旋涂 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨钨 * Mask #10, 金属接触孔1 * 曝光 SOD SOD 光刻胶 P型阱 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨钨 * 显影 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨钨 * 刻蚀PE-TEOS和SOD, 并在SiC层停止 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨钨 * 去除光刻胶 SOD SOD USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨钨 * 光刻胶旋涂 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG * Mask #11, 金属沟槽 1 * 對準和曝光 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG * 显影 SOD SOD 光刻胶 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG * 沟槽刻蚀 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG SOD SOD 光刻胶 * 去除光刻胶 SOD USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG SOD * 氩离子刻蚀清洁 SOD P型阱 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨钨 SOD * PVD沉积钽和氮化钽阻挡层 SOD P型阱 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨钨 SOD 钽和氮化钽：阻挡铜的扩散 * USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG PVD 沉积Cu 籽晶层 SOD SOD * 铜电镀沉积 P型阱 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨钨 SOD SOD 铜 1 铜1 铜1 铜1 * 銅退火 P型阱 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 钨钨 SOD SOD 铜1 铜1 铜1 铜1 ~250oC,减小电阻 * CMP金属刻蚀 USG STI USG n+ n+ p+ p+ PSG SOD SOD 銅1 銅1 銅1 銅1 * P型阱 NMOS S/D注入 USG N型阱光刻胶 STI USG 砷离子, As+ * P型阱去除光刻胶 USG N型阱 STI USG n+ n+ * P型阱涂胶 USG N型阱 STI USG n+ n+ 光刻胶 * Mask #8, PMOS S/D注入 * P型阱曝光 USG N型阱 STI USG n+ n+ 光刻胶 * P型阱显影 USG N型阱 STI USG n+ n+ 光刻胶 * P型阱 PMOS S/D注入 USG N型阱 STI USG n+ n+ 光刻胶硼离子, B+ * P型阱去除光刻胶 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ * P型阱 RTA退火 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ * P型阱氩离子溅射刻蚀 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ 去除表面自然氧化层 * P型阱钴(Co)和TiN沉积 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ 钴氮化钛 TiN 保护Co不被氧化 * P型阱 RTA退火 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ 钴硅化物(CoSi2) 钴氮化钛 * P型阱去除TiN，Co USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ 钴硅化物(CoSi2) * P型阱 PECVD 沉积氮化硅 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ 小尺寸器件下，热预算的要求不能使用LPCVD氮化硅 * P型阱沉积PSG USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG PECVD 氮化硅用来阻止P的扩散 * P型阱 CMP刻蚀PSG USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG * P型阱光刻胶旋涂 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 光刻胶 * Mask #9, 接触孔 * P型阱曝光 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 光刻胶 * P型阱显影 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 光刻胶 * P型阱刻蚀PSG USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 光刻胶 * P型阱去除光刻胶 USG N型阱 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG * P型井區氩离子溅射刻蚀 P型晶圓深埋 SiO2 層 USG N型井區 STI USG n+ n+ p+ p+ PSG 清洁表面