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* * * * * * * * * * * * * * * * * 8.3.1 半导体单晶非结型温度传感器 载流子浓度与温度的关系 低温范围 本征激发可忽略，载流子主要由杂质电离提供,它随温度升高而增加。 室温范围 杂质已全部电离,本征激发不明显,载流子基本上不随温度变化。 高温阶段 本征激发增加,大量本征载流子产生 电阻率与温度的关系 散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高而增大 载流子主要由杂质电离提供,随温度升高而增加 电阻率随温度升高而下降 晶格振动散射为主,迁移率随温度升高而降低 杂质已全部电离, 载流子基本上不随温度变化 电阻率随温度升高而升高 本征激发增加,大量本征载流子产生 电阻率随温度升高而下降 8.3.1 半导体单晶非结型温度传感器 硅温度传感器结构与电阻-温度特性 硅温度传感器结构 电阻-温度特性曲线 8.3 半导体温度传感器 8.3.2 PN结型温度传感器 二极管温度传感器 PN 结的电流密度为 Js —为反向饱和电流密度; q0 —为电子电荷量; U —为外加电压; K —为波耳兹曼常数; T —为绝对温度。 当PN 结处于正向偏压下，正向导通有正向偏压 ,故有： 当电流密度J 保持不变时,PN 结的正向电压Uf 与绝对温度T 成正比 8.3 半导体温度传感器 8.3.2 PN结型温度传感器 二极管温度传感器 二极管温度传感器温度-电压特性 8.3 半导体温度传感器 8.3.2 PN结型温度传感器 晶体管温度传感器 由晶体三极管的工作原理，有： Eg —禁带宽度; α —与基极偏压有关的常数; r —为由基区少数载流子温度特性决定的常数。 与材料和 偏置电压有 关的参数 Ic 一定时, Ube 基本与绝对温度T呈线性关系 8.3 半导体温度传感器 8.3.3 集成温度传感器 集成温度传感器 是将温敏晶体管及其辅助电路集成在同一个芯片上的温度传感器。 集成温度传感器与其他温敏元件相比，最大的优点在于输出结果与绝对温度成正比，是理想的线性输出。 集成电路温度传感器的设计依据是,利用两个晶体管1 和2 集电极电流之比一定,其两者的Ube 之差 Ube 与温度的关系。 α 1, α 2 —电流放大系数; Je1,Je2— 发射极电流密度; Js1,Js2—为发射极饱和电流密度。 8.3 半导体温度传感器 8.3.3 集成温度传感器 选择两个晶体管特性相同时， ， ；有： VCC I1 I2 G2 G1 Ube1 Ube2 性能相同的两个晶体管G1 与G2 的集 电极电流分别为I1 与I2。此时两者的发射极电压差ΔUbe 为： 电压输出温度传感器 8.3 半导体温度传感器 8.3.3 集成温度传感器 电流输出温度传感器 晶体管V1 与V2 的发射极电压Ube1 =Ube2;晶体管V3 与V4 的集电极电流Ic3 = Ic4。设计时,取V3 发射极面积为V4 的8 倍。电阻R 上电压输出为： * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 传感与测试技术讲义 机电学院 陈芳 第八章 温度传感器 第八章 温度传感器 第八章 温度传感器 第八章 温度传感器 第八章 温度传感器 第八章 温度传感器 常见的温度传感器有哪些？ 第八章 温度传感器 第八章 温度传感器 第八章 温度传感器 温度传感器的分类 按测量方法分 接触式 被测对象与温度计的感温元件直接接触， 使其温度相同来实现温度测量。 非接触式 感温元件不直接与被测物体相接触，利用 物体的热辐射原理或电磁原理得到被测 温度。 优点 感温元件破坏了被测物的热平衡 精度较高 缺点 优点 精度较低 非接触测量 缺点 8.1 热电偶 本节主要内容 热电偶的工作原理 热电偶的基本定律 热电偶的测温电路 8.1 热电偶 8.1.1 热电偶的工作原理 塞贝克效应：第一热电效应，它是指由于两种不同电导体或半导体的温度差异 而引起两种物质间的热电动势的热电现象。 这种热电动势由不同材料的接触电势和各自温差电势组成。 两种不同金属的接触电势 两种不同的金属A和B连接点处会发生电子扩散，电子扩散的速率与自由电子的密度以及导体的温度成正比。 8.1.1 热电偶的工作原理 两种不同金属的接触电势 EA=EB EAEB 导体A、B中的自由电子密度分别为NA和NB ，且NA NB ，则在单位时间内，导体 A扩散到导体B的电子数要大于从导体B向导体A扩散的电子数；因此，导体A失去电子，导体B得到电子，从而在接触处形