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存储器的研究和设计 　　摘要：反熔丝存储器具有低功耗、高密度、可靠性高、抗干扰能力强等优点，在强调高可靠性的特殊领域得到了广泛应用；采用一种ONO（oxide-nitride-oxide）结构的反熔丝技术，熔结处的典型电阻为500Ω，同时给出了基于这种反熔丝单元的阵列设计，体现了低功耗、高密度、结构简单、容易实现等特点；为反熔丝电路设计提供了有用的参考，为航空航天等特殊领域的使用提供了有力的支持和保证。 中国论文网 /8/view-7181916.htm 　　关键词：非易失性存储器 反熔丝技术 ONO结构 反熔丝阵列设计 　　中图分类号：TP333 文献标识码：A 文章编号：1007-9416（2015）12-0000-00 　　1 引言 　　目前的非易失性存储器（NVM）主要有Electrically prommable read-only-memory（EPROM）和Electrically erasable prommable read-only-memory（EEPROM），但是这两种存储器结构复杂，并且某些情况下可靠性较差。 　　反熔丝技术（antifuse technology）是相对于熔丝技术（fuse technology）而言的，反熔丝最开始的时候是连接两个金属连线的微型非晶体硅柱，类似于三明治结构，主要由上下电极和处于上下电极之间的反熔丝介质如非晶体硅构成，在未编程状态下，非晶体硅就是一个绝缘体，也就是意味着断开，当通过上下电极间的编程电压实现编程的时候，反熔丝表现出良好的欧姆特性，就会变成电阻很小的导体，几乎就是通路了。基于反熔丝技术的存储器是非易失性的，配置数据在系统掉电后依然存在，上电后，系统会立刻使用，不需要额外的配置存储芯片来配置，这样就节约了额外的板级面积了，当然反熔丝结构也有它的缺点，就是只能够编程一次，不能够重复使用，正是如此，它天生具有极高的稳定性和抗辐射的能力，在一些特定场合比如航空航天领域非常有用。 　　2 存储结构设计 　　本文中设计的存储器采用ONO（oxide-nitride-oxide）技术[1]，将反熔丝置于两个互联线之间，顶层和底层分别采用N+多晶硅和N+扩散层作为导体，中间采用ONO（oxide-nitride-oxide）作为绝缘层，类似于三明治结构；未编程时，ONO电阻高达100 MΩ以上，反熔丝处于“断开”状态。当编程电压（18V）加到其两端时，ONO层熔接，反熔丝便会由高阻态变为低阻态，熔结处的典型电阻为500Ω，绝缘体导通，实现两个金属点间的连接。存储结构如图1所示。 　　图1 ONO层反熔丝结构示意图 　　3 反熔丝阵列设计 　　以3×3存储阵列为例，如图2所示，其中WL（word line）表示字线，BL（bit line）表示位线，RB表示读允许控制端，Y表示列译码线，SA表示灵敏放大器（将存储单元读出的电流和参考电流Iref进行比较，决定读出的数据是“1”或者是“0”[2]。 　　具体工作流程可以分为如下几个：（1）编程阶段，RB端接低电压，读操作被禁止，字线WL接编程熔断电压，BL端接高电压或者是浮空，将ONO层熔断，实现编程；以WL0字为例，将WL0接高电压，则该字处于编程状态，该字每一位编程与否由BL0～LB3来决定，如BL0接低电压，在该位被编程，反之不被编程。（2）读出阶段，将RB端连接高电压，允许读出，将需要读出字的WL端接Vdd，通过译码器Y0～Y3，将对应位以电流的形式读出。读出的电流传送至电流放大器（SA）中，通过与参考电流Iref的比较，输出“0”或者是“1”，该电路具有简单明了，编程、读出操作容易实现，具有高密度、低功耗、集成度高的特点，便于大规模应用。 　　图2 反熔丝存储阵列设计 　　4 结语 　　本文在CMOS反熔丝的基础上，提出了一种改进型的基于ONO层的反熔丝技术，通过对ONO层的击穿实现反熔丝结构；击穿后导通电阻非常的小，基于该反熔丝存储阵列具有电路简单、编程方便、读出可靠等特点。相对于传统的反熔丝结构，该结构实现工艺简单，不需要特殊的工艺，不但满足了航空航天等特殊行业的需要，而且为以后反熔丝产品提供了借鉴。 　　参考文献 　　[1]孙承松，张丽娟，李新.ONO反熔丝的研究[J].沈阳，沈阳工业大学学报，2006. 　　[2]陶伟，石乔林，李天阳.基于CMOS工艺平台反熔丝FPGA实现[J].无锡，电子与封装，2012.