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防止重掺砷CZ单晶硅组分过冷的探讨 　　摘要： 在探讨组分过冷数学模型的基础上，针对重掺砷CZ单晶硅的生长，理论计算了防止组分过冷时固液界面处晶体温度梯度GS的临界值为51.32～33.10 K/cm.以此为依据，设计了具有较大温度梯度的18寸（60 cm）晶体生长热场，以数值模拟的方法，给出了固液界面处晶体的温度梯度GS的模拟值为54.68～38.14 K/cm.在晶体等径生长的各个阶段，固液界面处晶体的温度梯度GS的模拟值均在防止组分过冷的临界值之上，可以有效避免晶体生长过程中组分过冷的发生，并利用实际晶体生长试验的结果验证了以上分析的有效性. 　　关键词： 组分过冷； 重掺砷单晶硅； 温度梯度； 数值模拟 　　中图分类号： TN 305.3文献标志码： A 　　Discussionon Preventing Heavily Arsenicdoped Czochralski Silicon 　　Crystal from Constitutional Supercooling 　　HAN Jianchao 　　（Shanghai Hejing Silicon Material Co.， Ltd.， Shanghai 201617， China） 　　Abstract： After the mathematical model of constitutional supercooling was discussed，the critical value of crystals temperature gradient GS on the solidliquid interface that could avoid constitutional supercooling phenomenon was theoretically calculated to be 51.3233.10 K/cm as heavily Arsenicdoped CZ silicon crystal grew.Based on the results above，a thermal field of 60 cm with relatively greater temperature gradient was designed.The simulation value of temperature gradient GS was calculated to be 54.6838.14 K/cm through computer numerical simulation.The simulation value of temperature gradient GS is always greater than the corresponding critical value at each stage of crystals’ constant diameter growth，which ensured that constitutional super cooling could be effectively prevented during crystal growth.The actual crystals growth experiments demonstrated the effectiveness of the above analysis. 　　Keywords： constitutional super cooling； heavily arsenicdoped silicon crystal； temperature gradient； numerical simulation 　　众所周知，直拉法（CZ）重掺砷（As）单晶硅是理想的外延衬底材料，广泛应用于各类功率半导体器件.为了尽可能降低器件的开关损耗，提升器件效率，这就要求单晶硅衬底具有更低的电阻率，尤其新一代的微波功率器件、肖特基器件和场控高频器件等，要求单晶硅衬底的电阻率达到3 mΩcm以下.对于重掺As单晶硅来说，如此低的电阻率对应硅熔体的掺杂浓度接近1.0×1020 cm-3.然而，在高浓度的掺杂条件下，晶体生长过程中容易发生所谓的组分过冷现象，即平坦界面的稳定性被破坏，并转变为胞状界面[1].在胞状界面下生长的晶体呈胞状结构，如图1[2]所示.同时，胞状结构边界处高浓度的杂质，容易导致晶体位错的发生及杂质的析出；尤其在一个极度过冷的熔体中，极易自发成核，导致多晶生长[1-3].本文将针对电阻率小于3 mΩcm的重掺As单晶硅，计算出防止组分过冷的临界条件，以此为依据设计18寸长晶热场，并通过计算机数值模拟和实际长晶效果进行确认. 　　1组分过冷