第五章 磁畴理论.ppt

D D D/2 D/2 L [010] [100] [001] 在这种情况下，Fd与Fk均不需要考虑，只需考虑畴壁能与磁弹性能。 磁致伸缩能的产生： 材料自居里点冷下来时，发生自发形变，若λ0,则沿自发磁化强度的方向上将发生伸长，这样主畴与封闭畴均要在其自发磁化强度的方向上伸长，由于主畴与封闭畴的Ms彼此成900，所以形变方向互相牵制。换言之，由于主畴的阻挡，封闭畴不能自由变形。 ——因此封闭畴就好像受到压缩而增加了能量。这项能量由磁致伸缩引起，故称磁致伸缩能Eσ (磁弹性能)。 每单位面积的材料中，上下表面共有 个封闭畴，其中每一个封闭畴体积为D2/4, 所以单位面积的材料中，封闭畴总体积为： D2/4×2/D=D/2。 所以单位面积的材料中的磁弹性能为： 三、表面畴 为降低晶体表面总的退磁场能，将会在晶体表面出现各种各样的表面精细畴结构或附加次级畴。 表面畴的形成与分布和晶体表面取向有关，故其形式较为复杂。 1、树枝状畴 在K10的立方单晶材料的表面，有时会出现从畴壁界线出发，向两边主畴作斜线伸展的一种附加畴——树枝状畴。 产生原因： 两个主畴的Ms与样品表面不平行，有一微小的倾角，这样在表面就会出现磁极，使接近表面区产生退磁场，引起此区域的横向