镜像势.pptVIP

纳米结构的镜像势 李志兵 中山大学光电材料与技术国家重点实验室 中山大学物理科学与工程技术学院，广州 内容 简单镜像势 镜像势在场电子发射中的效应 纳米结构的镜像势举例 碳纳米管的镜像势 碳60的镜像势 4. 小结 1. 简单镜像势 （1）接地无限大平面导体板上方的镜像势 2. 镜像势在场电子发射中的效应 1.1 场电子发射（FE） J.C.She, N.S. Xu, S.E. Hug, S.Z. Chen, Jun Chen 1.2 应用 平面显示，全息电子显微, 平行电子刻蚀，微波管，微量原子探测等 镜像势对场发射有重要影响 不仅降低势垒,还会诱生镜像态(image state). 纳米尖端的镜像势与理想金属平面不同 自由电子气模型 经典电动力学高估了金属平面的镜像势. 3.纳米结构的镜像势举例 碳纳米管的镜像势(多尺度第一性原理计算) C60的镜像势(第一性原理计算) 模型 (7, 0)SWCNT镜像电荷 SWCNT尖端的密立根电荷分布。横坐标是原子层的序号，每一层有7个原子。 碳纳米管在不同电场下的真空势垒 (a) 有镜像势（点线）和无镜像势（实线）时(7, 0)SWCNT的势垒。从上到下对应的外加电场为0 V/μm, 11 V/μm, 15 V/μm. (b)同 (a), 但对应 (4, 4) SWCNT, 从上到下对应的外加电场为0 V/μm, 7 V/μm, 13 V/μm. (c) 同 (a), 但对应 (5, 5) SWCNT, 从上到下对应的外加电场为0 V/μm, 7 V/μm, 11 V/μm. (d) 同 (a), 对应 (5, 5) 闭口 SWCNT, 从上到下对应的外加电场为0 V/μm, 12 V/μm, 碳纳米管镜像势 (7, 0) □, (4, 4) ○, (5, 5) △开口 SWCNTs , (5, 5) 闭口SWCNT ☆, 和单个碳原子 ■的镜像势,与 r = 0.04 nm (黑线) 和 r = 0.08 nm (灰线)的理想金属球, 和理想金属平面(dotted line)的镜像势的比较. 镜像势对电流大小的影响 孤立C60的镜像势 4. 小结 纳米结构中的镜像势有很大的效应 计算纳米结构中的镜像势需要考虑原子尺度和多电子关联 碳管和孤立C60的镜像势类似金属球镜像势 接地C60的镜像势包含强烈的多电子关联效应,不能用金属球镜像势拟合 在考虑了镜像势之后算出的发射电流比不考虑镜像势的结果大近一个数量级 电动力学的概念在纳米尺度还是重要的,但应用时需要谨慎 * 全国高校第十二届《电动力学》研讨会 （ 2009 泉州） 主要合作者 王伟良，黄海鸣 致谢：本研究得到“纳米科学”国家重大基础研究发展计划项目 (2007CB935500) ，自然科学基金助资。 电荷Q受到的力 电势能（镜像势）： z P点电势 （2）电介质平面的镜像势 时回到金属平面的结果 （3）金属球的镜像势 Q Q’ -Q’ R r r’ P Q Q’ o a b R r r’ R0 P 中性、绝缘 接地 时回到金属平面的结果 镜像势在界面处发散 ——因为宏观的静电理论在原子尺度不适用 费米能 真空能 电子的交换关联能起作用 纳米结构偏离无穷大界面，也使镜像势变复杂。 1928 Three papers on tunnelling Theory of cold field electron emission (Fowler and Nordheim). Theory of field ionization (Oppenheimer). Theory of alpha-particle emission from nuclei (Gamov). 阴极 阳极 阴极 Work function Fermi level 真空 半导体 Nanostructures Mortorola Inc. NEC，中山大学 中山大学 3.5英寸 Midgley Dunin-Borkowski, 2009 magnetic induction maps of geological and biogenic magnetic particles. from a single bacterial cell A. Mayer, M. S. Chung, N. Kumar, B. L. Weiss, N. M. Miskovsky, and P. H. Cutler, Journal of Vacuum Science Technology B 25 (1),